[發(fā)明專利]并聯(lián)連接的體聲波諧振器及其制造方法、以及電子器件在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202111183205.4 | 申請日: | 2021-10-11 |
| 公開(公告)號: | CN113904654A | 公開(公告)日: | 2022-01-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉海瑞;賴志國;楊清華 | 申請(專利權(quán))人: | 蘇州漢天下電子有限公司 |
| 主分類號: | H03H9/17 | 分類號: | H03H9/17;H03H3/02 |
| 代理公司: | 北京元合聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11653 | 代理人: | 李非非 |
| 地址: | 215000 江蘇省蘇州市蘇州工*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 并聯(lián) 連接 聲波 諧振器 及其 制造 方法 以及 電子器件 | ||
1.一種并聯(lián)連接的體聲波諧振器,該體聲波諧振器包括:
基底;
疊層結(jié)構(gòu),該疊層結(jié)構(gòu)位于所述基底上且從上至下依次包括上電極、壓電層以及下電極;
聲反射結(jié)構(gòu),該聲反射結(jié)構(gòu)位于所述疊層結(jié)構(gòu)下方,形成在所述基底內(nèi)或形成在所述疊層結(jié)構(gòu)和所述基底之間;
所述上電極、所述壓電層以及所述下電極位于所述聲反射結(jié)構(gòu)上方的重疊區(qū)域構(gòu)成所述疊層結(jié)構(gòu)的有效工作區(qū),其中,所述有效工作區(qū)包括主體區(qū)域以及至少一個(gè)局部區(qū)域,每一所述局部區(qū)域中的上電極、壓電層、下電極中的至少一層其厚度不同于所述主體區(qū)域中相應(yīng)層的厚度,且每一所述局部區(qū)域所產(chǎn)生的第一諧振響應(yīng)的串聯(lián)諧振頻率低于所述主體區(qū)域所產(chǎn)生的第二諧振響應(yīng)的串聯(lián)諧振頻率、或高于所述主體區(qū)域所產(chǎn)生的第二諧振響應(yīng)的并聯(lián)諧振頻率。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的體聲波諧振器,其中:
所述主體區(qū)域的水平截面的面積小于等于5×104μm2;
所述局部區(qū)域的水平截面的面積小于2×103μm2。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的體聲波諧振器,其中,所述局部區(qū)域的水平截面的形狀是多邊形、環(huán)形、圓形或不規(guī)則形狀。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的體聲波諧振器,其中,所述局部區(qū)域的水平截面與所述有效工作區(qū)的水平截面形狀相同。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的體聲波諧振器,其中,所述局部區(qū)域水平截面的每條邊與所述有效工作區(qū)水平截面中相應(yīng)的邊平行設(shè)置。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的體聲波諧振器,其中:
所述有效工作區(qū)的邊緣形成有聲波泄露抑制結(jié)構(gòu),該聲波泄露抑制結(jié)構(gòu)包括凸起的第一框架結(jié)構(gòu)和/或凹陷的第二框架結(jié)構(gòu)。
7.一種并聯(lián)連接的體聲波諧振器的制造方法,該制造方法包括:
基底的提供步驟、疊層結(jié)構(gòu)的形成步驟以及聲反射結(jié)構(gòu)的形成步驟,其中,所述疊層結(jié)構(gòu)位于所述基底上,所述聲反射結(jié)構(gòu)位于所述疊層結(jié)構(gòu)下方、形成在所述基底內(nèi)或形成在所述疊層結(jié)構(gòu)和所述基底之間;
所述疊層結(jié)構(gòu)的形成步驟包括:在所述基底上依次形成下電極、壓電層以及上電極以構(gòu)成疊層結(jié)構(gòu),所述上電極、所述壓電層以及所述下電極位于所述聲反射結(jié)構(gòu)上方的重疊區(qū)域構(gòu)成所述疊層結(jié)構(gòu)的有效工作區(qū),其中,所述有效工作區(qū)包括主體區(qū)域以及至少一個(gè)局部區(qū)域,每一所述局部區(qū)域中的上電極、壓電層、下電極中的至少一層其厚度不同于所述主體區(qū)域中相應(yīng)層的厚度,且每一所述局部區(qū)域所產(chǎn)生的第一諧振響應(yīng)的串聯(lián)諧振頻率低于所述主體區(qū)域所產(chǎn)生的第二諧振響應(yīng)的串聯(lián)諧振頻率、或高于所述主體區(qū)域所產(chǎn)生的第二諧振響應(yīng)的并聯(lián)諧振頻率。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造方法,其中:
所述主體區(qū)域的水平截面的面積小于等于5×104μm2;
所述局部區(qū)域的水平截面的面積小于2×103μm2。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的制造方法,其中,所述局部區(qū)域的水平截面的形狀是多邊形、環(huán)形、圓形或不規(guī)則形狀。
10.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的制造方法,其中,所述局部區(qū)域的水平截面與所述有效工作區(qū)的水平截面形狀相同。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制造方法,其中,所述局部區(qū)域水平截面的每條邊與所述有效工作區(qū)水平截面中相應(yīng)的邊平行設(shè)置。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造方法,該制造方法還包括:
在所述有效工作區(qū)的邊緣形成聲波泄露抑制結(jié)構(gòu),該聲波泄露抑制結(jié)構(gòu)包括凸起的第一框架結(jié)構(gòu)和/或凹陷的第二框架結(jié)構(gòu)。
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