[發(fā)明專利]顯示裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202111180767.3 | 申請日: | 2021-10-11 |
| 公開(公告)號: | CN114388583A | 公開(公告)日: | 2022-04-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李周炫;白炅?xí)G;申鉉億;權(quán)圣周 | 申請(專利權(quán))人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京鉦霖知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11722 | 代理人: | 李英艷;玉昌峰 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示裝置 | ||
1.一種顯示裝置,其中,所述顯示裝置包括:
基板;
下金屬圖案,配置于所述基板的一面上;
緩沖層,配置于所述基板的所述一面上,并覆蓋所述下金屬圖案;
半導(dǎo)體層,配置于所述緩沖層上;
柵極絕緣膜,配置于所述半導(dǎo)體層上;以及
柵極電極,配置于所述柵極絕緣膜上,
所述下金屬圖案包括:反射防止層,配置于所述基板的所述一面上;以及導(dǎo)電性金屬層,配置于所述反射防止層的一面上,
所述反射防止層包含鋅氧化物以及銦氧化物中的至少任一種和鉬氧化物。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中,
所述顯示裝置還包括:
顯示部,包括第一顯示區(qū)域和第二顯示區(qū)域,
所述第一顯示區(qū)域的光透射率小于所述第二顯示區(qū)域的光透射率,
所述下金屬圖案配置于所述第二顯示區(qū)域。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置,其中,
所述第二顯示區(qū)域包括具有彼此不同的光透射率的透光部以及非透光部,
所述下金屬圖案、所述半導(dǎo)體層以及所述柵極電極配置于所述非透光部內(nèi),并不配置于所述透光部。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示裝置,其中,
所述透光部的光透射率大于所述非透光部的光透射率。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示裝置,其中,
所述下金屬圖案的平面上圖案與所述非透光部的平面上圖案相同。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置,其中,
所述第一顯示區(qū)域的分辨率高于所述第二顯示區(qū)域的分辨率。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中,
所述反射防止層的所述鉬氧化物的含量在20at%至50at%的范圍內(nèi),所述鋅氧化物以及銦氧化物中的至少任一種的含量在50at%至80at%的范圍內(nèi)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中,
所述導(dǎo)電性金屬層具有高于所述反射防止層的電導(dǎo)率。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中,
所述導(dǎo)電性金屬層和所述反射防止層在平面圖上具有相同的圖案形狀。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中,
所述導(dǎo)電性金屬層的側(cè)面比所述反射防止層的側(cè)面向外側(cè)凸出。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示裝置,其中,
在截面圖上,所述下金屬圖案包括底切形狀。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中,
所述反射防止層的側(cè)面比所述導(dǎo)電性金屬層的側(cè)面向外側(cè)凸出。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的顯示裝置,其中,
所述導(dǎo)電性金屬層與所述反射防止層的全區(qū)域重疊。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中,
所述顯示裝置還包括:平坦化膜,配置于所述柵極電極上;陽極電極,配置于所述平坦化膜上,并與所述半導(dǎo)體層電連接;像素界定膜,暴露所述陽極電極的一部分,并配置于所述陽極電極上;以及發(fā)光層,配置于通過所述像素界定膜暴露的所述陽極電極上。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





