[發明專利]一種CVD裝置及其分散進氣方法

在審

• 申請號: 202111180421.3
• 申請日: 2021-10-11
• 公開（公告）號: CN113881931A
• 公開（公告）日: 2022-01-04
• 發明（設計）人: 劉柏希;韓長海;龔濤;齊家慶
• 申請（專利權）人: 湘潭大學
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455;C23C16/458;C23C16/54
• 代理公司: 長沙明新專利代理事務所(普通合伙) 43222
• 代理人: 徐新

一種CVD裝置，包括外腔體、外腔蓋，外腔體內部設置有內反應腔A、內反應腔B以及內反應腔C；外腔蓋上設置有蝸桿減速機、伺服減速電機、升降裝置、升降架以及花鍵軸，蝸桿減速機設置在外腔蓋上，伺服減速電機與蝸桿減速機固定連接，升降裝置為兩個，兩個升降裝置設置在外腔蓋上，升降架設置在兩個升降裝置的頂部，花鍵軸轉動設置在蝸桿減速機內，且花鍵軸一端與升降架固定連接、另一端穿過外腔蓋并往外腔體內延伸，花鍵軸朝向外腔體的一端固定連接有安裝板，安裝板上設置有與內反應腔A、內反應腔B、內反應腔C對應的第一內腔蓋、第二內腔蓋、第三內腔蓋，第一內腔蓋、第二內腔蓋、第三內腔蓋朝向外腔體底部的一面均固定設置有托架。

技術領域

本發明涉及CVD工藝技術領域，具體為一種CVD裝置及其分散進氣方法。

背景技術

CVD工藝是一種在特定溫度以及真空度的封閉條件下通過一種或多種化學氣體在基片表面發生熱分解、化學合成等沉積反應從而在其表面生成致密薄膜的化工技術，可以通過改變通入氣體的化學成分達到改變薄膜性質以及薄膜梯度的目的。

現有CVD工藝的反應過程大多在固定腔室中完成，通過交替通入不同前驅體的方法來完成沉積過程，在實際切換前驅體的過程中不同化學氣體會在管道內反應而積聚容易造成堵塞。

其次，現有CVD裝置的反應腔一般都為一個腔室，從而當腔室的管道堵塞時，會造整個CVD裝置堵塞。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是，提供一種CVD裝置及其分散進氣方法，以解決上述背景技術中提出現有的CVD工藝的反應裝置在實際切換前驅體的過程中不同化學氣體在管道內反應而積聚容易造成堵塞的問題。

為了解決這一技術問題，本發明一方面采用以下技術方案：

一種CVD裝置，包括外腔體、設置在外腔體上的外腔蓋，所述外腔體內部設置有內反應腔A、內反應腔B以及內反應腔C；所述外腔蓋上設置有蝸桿減速機、伺服減速電機、升降裝置、升降架以及花鍵軸，所述蝸桿減速機設置在所述外腔蓋的中心處，所述伺服減速電機的輸出軸與所述蝸桿減速機固定連接，所述升降裝置為兩個，兩個所述升降裝置對稱設置在所述外腔蓋上并位于所述蝸桿減速機的兩端，所述升降架固定設置在兩個升降裝置的頂部，所述花鍵軸轉動設置在所述蝸桿減速機內，且所述花鍵軸一端與所述升降架固定連接、另一端穿過所述外腔蓋并往所述外腔體內延伸，其中，所述花鍵軸朝向外腔體的一端固定連接有安裝板，所述安裝板朝向所述外腔體底部的一面分別固定設置有與所述內反應腔A、內反應腔B以及內反應腔C相對應的第一內腔蓋、第二內腔蓋、第三內腔蓋，所述內腔蓋、第二內腔蓋、第三內腔蓋朝向所述外腔體底部的一面均固定設置有托架，且所述托架內設置有基片架。

在一個實施方式中，所述內反應腔A、內反應腔B以及內反應腔C結構均相同，所述內反應腔A、內反應腔B以及內反應腔C內均設置有對稱的均氣裝置。

在一個實施方式中，所述內反應腔A、內反應腔B以及內反應腔C的底部均設置有進氣口和排氣口。

在一個實施方式中，所述內反應腔A、內反應腔B、內反應腔C內均設置有加熱裝置。

在一個實施方式中，位于所述蝸桿減速機與升降架之間的花鍵軸的外表面設置有波紋管，所述波紋管的一端與所述蝸桿減速機另一端與所述升降架。

在一個實施方式中，所述蝸桿減速機通過密封法蘭與所述外腔蓋固定連接。

在一個實施方式中，所述內反應腔C通過滑塊組件與所述安裝板固定連接。

在一個實施方式中，所述外腔體一側安裝有門閥。

為了解決這一技術問題，本發明又一方面采用以下技術方案：