[發明專利]不同偏角度砷化鎵籽晶加工及砷化鎵單晶的制備方法

在審

• 申請號: 202111179012.1
• 申請日: 2021-10-09
• 公開（公告）號: CN113981523A
• 公開（公告）日: 2022-01-28
• 發明（設計）人: 韓家賢;王順金;韋華;趙興凱;何永彬;柳廷龍;劉漢保;黃平;陳飛鴻;李國芳
• 申請（專利權）人: 云南鑫耀半導體材料有限公司;云南中科鑫圓晶體材料有限公司;云南臨滄鑫圓鍺業股份有限公司
• 主分類號: C30B11/14
• 分類號: C30B11/14;C30B29/42
• 代理公司: 昆明祥和知識產權代理有限公司 53114
• 代理人: 和琳

1.不同偏度砷化鎵籽晶加工方法，其特征在于包括以下步驟：

步驟1，籽晶定向：切下一片1mm的樣片，標明進刀口為X1，將樣片瓣成四方形，每個邊平整，放在X光機上檢測出XY的數值；根據標準參數值來確定刻度盤需調度數；

不同偏角度和要求，以及晶種胚角度如下：

A、（100）to(111)0°±0.2°， XY值：33°05′，（100）0°面，方向為晶向[100]沒有與任何其他晶向形成夾角；

B、（100）to(111)2°±0.2°， X：31°/35° Y:33°X:33° Y：31°/35°，（100）面的晶向朝（111）面，晶向[111]方向傾斜，傾斜后與原來[100]形成的夾角為2°，傾斜后的晶向就是（100）to（111）2°；

C、（100）to(111)6°±0.2°， X1：27°X2:39° Y:33°，（100）面的晶向朝（111）面，晶向[111]方向傾斜，傾斜后與原來[100]形成的夾角為2°，傾斜后的晶向就是（100）to（111）6°；

D、（100）to(111)10°±0.2°， X1：23°/43° Y:33°，（100）面的晶向朝（111）面，晶向[111]方向傾斜，傾斜后與原來[100]形成的夾角為10°，傾斜后的晶向就是（100）to（111）10°；

E、（100）to(111)15°±0.2°， X1：18°/48° Y:33°，（100）面的晶向朝（111）面，晶向[111]方向傾斜，傾斜后與原來[100]形成的夾角為15°，傾斜后的晶向就是（100）to（111）15°；

步驟2，籽晶胚的拋光清洗：采用溴素和乙醇的混合液，按體積比，溴素：乙醇=2：1-1：4；籽晶胚大小比種子小嘴內徑大0.025mm-0.76mm，拋光后籽晶胚大小小于PBN小嘴內徑0.070mm-0.089mm。

2.不同偏度砷化鎵單晶制備方法，其特征在于包括以下步驟：

GaAs多晶料9.5-10kg,摻砷7.2g-13.3g,摻硅0.4g-2.7g,氧化硼36g或90g,（100）到（111）偏0°、2°、6°、10°和15°的籽晶，放入PBN坩堝中，裝入石英管，用氫氧焰封焊，裝入VGF單晶爐中，首先升溫化料，然后接種，單晶生長，最后冷卻，取出晶體脫模獲得砷化鎵單晶。