[發明專利]LDMOS器件及其形成方法

有效

• 申請號: 202111177488.1
• 申請日: 2021-10-09
• 公開（公告）號: CN113871456B
• 公開（公告）日: 2023-07-04
• 發明（設計）人: 段文婷;錢文生
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 唐嘉

1.一種LDMOS器件，其特征在于，包括：

襯底，所述襯底具有第一導電類型；

位于所述襯底內的深阱區，所述深阱區包括沿第一方向上排布的第一摻雜區、第二摻雜區、第三摻雜區、位于所述第一摻雜區和第二摻雜區之間的第一擴散區、位于所述第二摻雜區和第三摻雜區之間的第二擴散區，所述第二摻雜區位于所述第一摻雜區和所述第三摻雜區之間，所述第一擴散區兩側分別于所述第一摻雜區和所述第二摻雜區相接觸，所述第二擴散區兩側分別與所述第二摻雜區和第三摻雜區相接觸，所述深阱區具有第二導電類型，所述第二導電類型與所述第一導電類型相反，沿所述第一方向上，所述第一摻雜區和所述第二摻雜區之間具有第一距離，所述第二摻雜區和所述第三摻雜區之間具有第二距離；

位于所述深阱區表面的場氧層，沿所述第一方向上，所述場氧層包括場氧區和位于所述場氧區一端的鳥嘴區，且所述鳥嘴區位于所述第一擴散區表面，部分所述場氧區位于所述第二擴散區表面，所述場氧層在沿所述第一方向上具有第三尺寸，所述第一距離與所述第三尺寸的比例范圍為小于或等于30％，所述第二距離與所述第三尺寸的比例范圍為20％至80％；

位于所述第一摻雜區內的體區，所述體區具有第一導電類型；

位于部分所述場氧層表面的柵極，所述柵極還延伸至部分所述體區表面；位于所述襯底內的源極和漏極，所述源極和所述漏極具有第二導電類型，所述源極位于所述柵極一側的所述體區內，所述漏極位于所述場氧層一側的所述第三摻雜區內；

位于所述體區內的溝道引出區，所述溝道引出區具有第一導電類型，且所述溝道引出區相對于所述源極遠離所述場氧層。

2.一種LDMOS器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供襯底，所述襯底具有第一導電類型；

形成所述襯底內的深阱區，所述深阱區包括沿第一方向上排布的第一摻雜區、第二摻雜區、第三摻雜區、位于所述第一摻雜區和第二摻雜區之間的第一擴散區、位于所述第二摻雜區和所述第三摻雜區之間的第二擴散區，所述第一摻雜區、所述第二摻雜區、所述第三摻雜區之間相互分立，所述第二摻雜區位于所述第一摻雜區和所述第三摻雜區之間，所述第一擴散區兩側分別于所述第一摻雜區和第二摻雜區相接觸，所述第二擴散區兩側分別與所述第二摻雜區和第三摻雜區相接觸，所述深阱區具有第二導電類型，所述第二導電類型與所述第一導電類型相反，沿所述第一方向上，所述第一摻雜區和所述第二摻雜區之間具有第一距離，所述第二摻雜區和所述第三摻雜區之間具有第二距離；

在所述深阱區表面形成場氧層，沿所述第一方向上，所述場氧層包括場氧區和位于所述場氧區一端的鳥嘴區，且所述鳥嘴區位于所述第一擴散區表面，部分所述場氧區位于所述第二擴散區表面，所述場氧層在沿所述第一方向上具有第三尺寸，所述第一距離與所述第三尺寸的比例范圍為小于或等于30％，所述第二距離與所述第三尺寸的比例范圍為20％至80％；

形成所述場氧層后，在所述第一摻雜區內形成體區，所述體區具有第一導電類型；

在部分所述場氧層表面形成柵極，所述柵極還延伸至部分所述體區表面；形成所述柵極后，形成所述襯底內的源極和漏極，所述源極和所述漏極具有第二導電類型，所述源極位于所述柵極一側的所述體區內，所述漏極位于所述場氧層一側的所述第三摻雜區內。

3.如權利要求2所述的LDMOS器件的形成方法，其特征在于，所述深阱區的形成方法包括：在所述襯底內注入第一摻雜離子，形成沿第一方向上排布且相互分立的第一注入區、第二注入區和第三注入區，且所述第二注入區位于所述第一注入區和所述第三注入區之間；采用高溫推阱工藝，驅動所述第一摻雜離子擴散，直至所述第一注入區與所述第二注入區相接觸、且所述第二注入區和所述第三注入區相接觸以形成深阱區，所述深阱區包括第一摻雜區、第二摻雜區、第三摻雜區、位于所述第一摻雜區和第二摻雜區之間的第一擴散區、以及位于所述第二摻雜區和第三摻雜區之間的第二擴散區，以所述第一注入區形成所述第一摻雜區，以所述第二注入區形成所述第二摻雜區，以所述第三注入區形成所述第三摻雜區。

4.如權利要求3所述的LDMOS器件的形成方法，其特征在于，所述第一注入區、所述第二注入區和所述第三注入區的形成方法還包括：在所述襯底表面形成掩膜層，所述掩膜層暴露出部分所述襯底表面；以所述掩膜層為掩膜，向所述襯底內注入所述第一摻雜離子。