[發明專利]一種基于FIB的微納結構制備方法在審
| 申請號： | 202111177401.0 | 申請日： | 2021-10-09 |
| 公開（公告）號： | CN113912004A | 公開（公告）日： | 2022-01-11 |
| 發明（設計）人： | 張景然;張坤朋;賈天棋;石廣豐;李晶;張心明 | 申請（專利權）人： | 長春理工大學 |
| 主分類號： | B81C1/00 | 分類號： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京遠大卓悅知識產權代理有限公司 11369 | 代理人： | 王雪嬌 |
| 地址： | 130000 *** | 國省代碼： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 fib 結構 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種基于FIB的微納結構制備方法，其特征在于，包括：
選擇尺寸為1×1cm2的基底，將厚度為20～100nm的金膜鍍至基底表面，通過FIB加工方法，采用平行模式在含有金膜的基底表面上，進行陣列結構加工：
加工數量為20×20～40×40的圓孔陣列；
圓孔的直徑為100～500nm；
深度為30～100nm；
相鄰圓孔的間距為-30～200nm；
得到具有微納結構的金膜基底。
2.根據權利要求1所述的基于FIB的微納結構制備方法，其特征在于，所述基底為SiO2基底。
3.根據權利要求2所述的基于FIB的微納結構制備方法，其特征在于，所述金膜的厚度為100nm。
4.根據權利要求3所述的基于FIB的微納結構制備方法，其特征在于，所述圓孔的深度為60nm。
5.根據權利要求4所述的基于FIB的微納結構制備方法，其特征在于，所述圓孔的直徑為350nm。
6.根據權利要求4所述的基于FIB的微納結構制備方法，其特征在于，相鄰所述圓孔間的間距為150nm。
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