[發明專利]太陽能電池及其正面膜層結構及其制備方法、組件及系統

在審

• 申請號: 202111176917.3
• 申請日: 2021-10-09
• 公開（公告）號: CN113921619A
• 公開（公告）日: 2022-01-11
• 發明（設計）人: 趙小平;陳剛
• 申請（專利權）人: 天津愛旭太陽能科技有限公司;浙江愛旭太陽能科技有限公司;廣東愛旭科技有限公司;珠海富山愛旭太陽能科技有限公司
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/18
• 代理公司: 深圳盛德大業知識產權代理事務所(普通合伙) 44333
• 代理人: 賈振勇

1.一種太陽能電池的正面膜層結構，其特征在于，所述正面膜層結構包括在硅片正面依次沉積的氮化硅層和氧化硅層；

所述氮化硅層由至少三層不同折射率的氮化硅膜組成；所述氧化硅層由至少兩層不同折射率的氧化硅膜組成；

依序排布的各層氮化硅膜及氧化硅膜的折射率依次降低。

2.如權利要求1所述的太陽能電池的正面膜層結構，其特征在于，所述氮化硅層包括折射率依次降低的三層氮化硅膜。

3.如權利要求1所述的太陽能電池的正面膜層結構，其特征在于，所述氧化硅層包括折射率依次降低的兩層氧化硅膜。

4.如權利要求2所述的太陽能電池的正面膜層結構，其特征在于，所述氮化硅層包括折射率依次降低的第一氮化硅膜、第二氮化硅膜、及第三氮化硅膜；

所述第一氮化硅膜的厚度為5-15nm，折射率為2.25-2.35；

所述第二氮化硅膜的厚度為20-30nm，折射率為2.15-2.25；

所述第三氮化硅膜的厚度為10-20nm，折射率為2.13-2.18。

5.如權利要求3所述的太陽能電池的正面膜層結構，其特征在于，所述氧化硅層包括折射率依次降低的第一氧化硅膜和第二氧化硅膜；

所述第一氧化硅膜的厚度為5-15nm，折射率為1.7-1.9；

所述第二氧化硅膜的厚度為10-20nm，折射率為1.4-1.6。

6.如權利要求1所述的太陽能電池的正面膜層結構，其特征在于，所述硅片正面所沉積的氮化硅層和氧化硅層相加的膜層總厚度為60-90nm，折射率為1.95-2.20。

7.如權利要求1所述的太陽能電池的正面膜層結構，其特征在于，所述硅片為經過制絨、擴散、SE激光、刻蝕或退火熱處理制作形成的硅片。

8.一種太陽能電池的正面膜層結構制備方法，其特征在于，所述方法包括：

在硅片的正面制備折射率逐漸降低的至少三層氮化硅膜，以形成由多層氮化硅膜組成的氮化硅層；

在所述氮化硅層上制備折射率逐漸降低的至少兩層氧化硅膜，以形成由至少兩層氧化硅膜組成的氧化硅層；

所述氧化硅層的折射率小于所述氮化硅層的折射率。

9.如權利要求8所述的太陽能電池的正面膜層結構制備方法，其特征在于，所述在硅片的正面制備折射率逐漸降低的至少三層氮化硅膜，以形成由多層氮化硅膜組成的氮化硅層的步驟包括：

在沉積爐管中進行第一氮化硅膜的沉積，制備得到沉積厚度為5-15nm、折射率為2.25-2.35的第一氮化硅膜；

在沉積爐管中進行第二氮化硅膜的沉積，制備得到沉積厚度為20-30nm、折射率為2.15-2.25的第二氮化硅膜；

在沉積爐管中進行第三氮化硅膜的沉積，制備得到沉積厚度為10-20nm、折射率為2.13-2.18的第三氮化硅膜。

10.如權利要求8所述的太陽能電池的正面膜層結構制備方法，其特征在于，所述在所述氮化硅層之上制備形成氧化硅層的步驟包括：

在沉積爐管中進行第一氧化硅膜的沉積，制備得到沉積厚度為5-15nm、折射率為1.7-1.9的第一氧化硅膜；

在沉積爐管中進行第二氧化硅膜的沉積，制備得到沉積厚度為10-20nm、折射率為1.4-1.6的第二氧化硅膜。