[發(fā)明專利]一種鈦銀共摻雜CoSb3

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202111175217.2
• 申請日: 2021-10-09
• 公開（公告）號: CN113903852A
• 公開（公告）日: 2022-01-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 鄭壯豪;鐘一鳴;范平;梁廣興;陳躍星
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳大學(xué)
• 主分類號: H01L35/18
• 分類號: H01L35/18;H01L35/34;C23C14/18;C23C14/20;C23C14/35
• 代理公司: 深圳市君勝知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44268
• 代理人: 劉芙蓉

本發(fā)明公開了一種鈦銀共摻雜CoSb₃熱電薄膜及其制備方法，所述鈦銀共摻雜CoSb₃熱電薄膜包括CoSb₃薄膜，以及均勻分散于所述CoSb₃薄膜上的Ti和Ag。本發(fā)明提供的鈦銀共摻雜CoSb₃熱電薄膜通過在CoSb₃薄膜中摻雜銀和鈦組分，使得其熱電性能得到大幅度提升，并且通過對摻雜銀和鈦的組分的調(diào)控，可以實現(xiàn)對于最終薄膜的性能的調(diào)控，本發(fā)明的鈦銀共摻雜CoSb₃熱電薄膜薄膜質(zhì)量高，重復(fù)性好，可大面積生產(chǎn)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及熱電材料技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種鈦銀共摻雜CoSb₃熱電薄膜及其制備方法。

背景技術(shù)

近年來，制備微型及柔性器件用高質(zhì)量、環(huán)保型熱電薄膜材料，已經(jīng)逐漸成為熱電技術(shù)領(lǐng)域的熱點研究課題之一。由于目前所報道的環(huán)境友好型方鈷礦結(jié)構(gòu)CoSb₃材料的熱電性能可與商用半導(dǎo)體熱電材料相比擬，具有廣闊的應(yīng)用前景，被廣泛的研究，其薄膜化的探索也有所報道，但已有的報道表明該材料的熱電性能遠未達到其塊體材料的性能，現(xiàn)有的薄膜化的CoSb₃材料的熱電性能還有待提高。

因此，現(xiàn)有技術(shù)還有待于改進和發(fā)展。

發(fā)明內(nèi)容

鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明的目的在于提供一種鈦銀共摻雜CoSb₃熱電薄膜及其制備方法，旨在解決現(xiàn)有技術(shù)中薄膜化的CoSb₃材料的熱電性能遠未達到其塊體材料的性能的問題。

本發(fā)明的技術(shù)方案如下：

一種鈦銀共摻雜CoSb₃熱電薄膜，其中，包括CoSb₃薄膜，以及均勻分散于所述CoSb₃薄膜上的Ti和Ag。

如本發(fā)明所述的鈦銀共摻雜CoSb₃熱電薄膜的制備方法，其中，包括步驟：

將Ti、Ag和CoSb₃靶材安置在濺射系統(tǒng)的濺射靶位上；

在基底材料上進行Ti薄膜層的制備；

將Ag和CoSb₃進行共濺射，制得所述鈦銀共摻雜CoSb₃熱電薄膜。

所述鈦銀共摻雜CoSb₃熱電薄膜的制備方法，其中，在所述將Ti、Ag和CoSb₃靶材安置在濺射系統(tǒng)的濺射靶位上之前，包括：

對基底材料進行加熱處理。

所述鈦銀共摻雜CoSb₃熱電薄膜的制備方法，其中，所述基底材料為玻璃或PI柔性材料中的一種。

所述鈦銀共摻雜CoSb₃熱電薄膜的制備方法，其中，所述Ti的純度為99.99％。

所述鈦銀共摻雜CoSb₃熱電薄膜的制備方法，其中，所述Ag的純度為99.99％。

所述鈦銀共摻雜CoSb₃熱電薄膜的制備方法，其中，所述加熱處理的溫度為300-500℃。

所述鈦銀共摻雜CoSb₃熱電薄膜的制備方法，其中，所述Ti薄膜層的厚度為0.01-10μm。

所述鈦銀共摻雜CoSb₃熱電薄膜的制備方法，其中，所述鈦銀共摻雜CoSb₃熱電薄膜的厚度為0.1-10μm。

所述鈦銀共摻雜CoSb₃熱電薄膜的制備方法，其中，所述濺射系統(tǒng)為磁控濺射鍍膜機。