[發明專利]顯示面板、顯示面板的制備方法及顯示終端

在審

• 申請號: 202111174945.1
• 申請日: 2021-10-09
• 公開（公告）號: CN113972221A
• 公開（公告）日: 2022-01-25
• 發明（設計）人: 崔巍
• 申請（專利權）人: TCL華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 熊恒定

1.一種顯示面板，其特征在于，所述顯示面板包括陣列基板以及多個薄膜晶體管，所述多個薄膜晶體管設置在所述陣列基板的一側，每個所述薄膜晶體管包括多個層，其中，

所述多個薄膜晶體管中至少一個薄膜晶體管為垂直晶體管，所述垂直晶體管的各層沿與所述陣列基板垂直的方向層疊設置。

2.根據權利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述垂直晶體管包括沿與所述陣列基板垂直的方向層疊設置的第一電極層、層間絕緣層、第二電極層、有源層、柵極絕緣層以及第三電極層。

3.根據權利要求2所述的顯示面板，其特征在于，所述垂直晶體管包括柵極、源極以及漏極，其中，

所述垂直晶體管的柵極設置在該垂直晶體管的第三電極層中；

所述垂直晶體管的源極設置在該垂直晶體管的第一電極層中，所述垂直晶體管的漏極設置在該垂直晶體管的第二電極層中；或者，所述垂直晶體管的漏極設置在該垂直晶體管的第一電極層中，所述垂直晶體管的源極設置在該垂直晶體管的第二電極層中。

4.根據權利要求2所述的顯示面板，其特征在于，所述垂直晶體管的第一電極層設置在所述陣列基板的一側，其中，

所述垂直晶體管的第一電極層背離所述陣列基板的一側設置有第一區域以及第二區域。

5.根據權利要求4所述的顯示面板，其特征在于，所述垂直晶體管的層間絕緣層包括第一層間絕緣層以及第二層間絕緣層，所述垂直晶體管的第一層間絕緣層與該垂直晶體管的第二層間絕緣層相連接，其中，

所述垂直晶體管的第一層間絕緣層設置在該垂直晶體管的第一區域；

所述垂直晶體管的第二層間絕緣層設置在所述陣列基板的一側中與該垂直晶體管的第一區域相鄰的區域。

6.根據權利要求5所述的顯示面板，其特征在于，所述垂直晶體管的第二電極層設置在該垂直晶體管的層間絕緣層背離所述陣列基板的一側，其中，

所述垂直晶體管的第二電極層的形狀與該垂直晶體管的層間絕緣層的形狀相似，所述垂直晶體管的第二電極層背離所述陣列基板的一側設置有第三區域以及第四區域。

7.根據權利要求6所述的顯示面板，其特征在于，所述垂直晶體管的有源層包括第一有源層、第二有源層、第三有源層以及第四有源層，所述垂直晶體管的第一有源層、第二有源層、第三有源層以及第四有源層依次相互連接，其中，

所述垂直晶體管的第一有源層設置在該垂直晶體管的第三區域；

所述垂直晶體管的第二有源層設置在該垂直晶體管的第一有源層與第三有源層之間，并分別與該垂直晶體管的第一有源層的邊緣以及第三有源層的邊緣相連接；

所述垂直晶體管的第三有源層設置在該垂直晶體管的第二區域；

所述垂直晶體管的第四有源層設置在所述陣列基板的一側。

8.根據權利要求7所述的顯示面板，其特征在于，所述垂直晶體管的柵極絕緣層設置在該垂直晶體管的有源層背離所述陣列基板的一側，所述垂直晶體管的第三電極層設置在該垂直晶體管的柵極絕緣層背離所述基板的一側，其中，所述垂直晶體管的柵極絕緣層的形狀與該垂直晶體管的第三電極層的形狀相似。

9.一種顯示面板的制備方法，其特征在于，所述顯示面板的制備方法用于制備如權利要求1至8中任一項權利要求所述的顯示面板，所述顯示面板的制備方法包括：

制備所述陣列基板；

在所述陣列基板的一側制備所述多個薄膜晶體管，其中，所述多個薄膜晶體管中至少一個薄膜晶體管為垂直晶體管，所述垂直晶體管的各層沿與所述陣列基板垂直的方向進行制備，從而得到所述顯示面板。

10.一種顯示終端，其特征在于，所述顯示終端包括終端主體和如權利要求1至8中任一項權利要求所述的顯示面板，所述終端主體與所述顯示面板相連接。