[發(fā)明專利]一種低觸控負載的像素結(jié)構(gòu)

在審

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• 申請日: 2021-10-09
• 公開（公告）號: CN113867028A
• 公開（公告）日: 2021-12-31
• 發(fā)明（設計）人: 陳廷安;郭智宇;鐘慧萍
• 申請（專利權(quán)）人: 福建華佳彩有限公司
• 主分類號: G02F1/1333
• 分類號: G02F1/1333;G06F3/041;G06F3/044;H01L23/50
• 代理公司: 福州君誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 35211
• 代理人: 戴雨君

1.一種低觸控負載的像素結(jié)構(gòu)，包括半導體層（1），其特征在于：所述半導體層（1）的底面固定連接絕緣層一（2），所述絕緣層一（2）的底面固定連接金屬層一（3），所述半導體層（1）的一側(cè)設置金屬層二（4），所述半導體層（1）的上表面固定連接絕緣層二（5），所述絕緣層二（5）的上表面固定連接絕緣層三（12），所述絕緣層三（12）的上表面固定連接金屬層三（6），所述金屬層三（6）的上表面固定連接金屬層四（7），所述金屬層四（7）的左右兩側(cè)及金屬層三（6）的上表面分別固定連接絕緣層四（8），所述金屬層四（7）的上表面固定連接ITO共電極（9），所述ITO共電極（9）和金屬層四（7）的上表面固定連接絕緣層五（10），所述絕緣層五（10）的上表面固定連接ITO畫素電極（11）。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低觸控負載的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述半導體層（1）的上表面與絕緣層二（5）的底面固定連接，所述半導體層（1）與金屬層二（4）的上表面平齊。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低觸控負載的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述ITO畫素電極（11）設置在絕緣層五（10）上表面左右兩側(cè)對稱的位置，所述絕緣層五（10）底面緊貼ITO共電極（9）和金屬層四（7）的上表面。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低觸控負載的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述金屬層四（7）和絕緣層四（8）的形狀相同，所述ITO共電極（9）設置為兩個，并分別設置在金屬層四（7）上表面的左右兩側(cè)對稱的位置。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低觸控負載的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述金屬層三（6）的設置在兩個絕緣層四（8）之間的位置，兩個所述絕緣層四（8）包裹金屬層三（6）。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低觸控負載的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述絕緣層二（5）包裹半導體層（1）和金屬層二（4），所述絕緣層二（5）的一端底面與絕緣層一（2）的上表面固定連接。