[發明專利]一種高晶面擇優取向銅箔的室溫電沉積制備方法

在審

• 申請號: 202111174609.7
• 申請日: 2021-10-09
• 公開（公告）號: CN113802155A
• 公開（公告）日: 2021-12-17
• 發明（設計）人: 嚴振華;羅中躍;陳軍;程方益;李海霞
• 申請（專利權）人: 南開大學
• 主分類號: C25D1/04
• 分類號: C25D1/04;C25D3/38;C25D21/12
• 代理公司: 天津耀達律師事務所 12223
• 代理人: 侯力

1.一種高晶面擇優取向銅箔，其特征在于，所述銅箔具有高度的銅(111)或銅(220)晶面擇優取向。

2.一種高晶面擇優取向銅箔的室溫電沉積制備方法，其特征在于包括以下步驟：

步驟1)：配制250g/L硫酸銅溶液，用濃硫酸調節溶液pH值為0.9-1.1；

步驟2)：取上述硫酸銅溶液作為電解液，以銅片作為陽極金屬材料，以鈦片作為陰極金屬材料，然后將陰極和陽極同時浸入到硫酸銅電解液中，利用電化學工作站設置沉積參數，進行電沉積；

步驟3)：從電解液中取出陰極，用稀硫酸和去離子水交替清洗，冷風吹干，即可得到具有高度晶面擇優取向的銅箔。

3.根據權利要求2所述高晶面擇優取向銅箔的室溫電沉積制備方法，其特征在于，所述步驟1)中硫酸銅采用純度≥98％的五水合硫酸銅試劑進行配制。

4.根據權利要求2所述高晶面擇優取向銅箔的室溫電沉積制備方式，其特征在于，所述步驟2)中陽極金屬材料按以下方式制備而來：

將純度為99.99％、厚度為0.3mm的銅片依次用稀硫酸、去離子水、無水乙醇清洗，冷風吹干得到陽極金屬材料。

5.根據權利要求2所述高晶面擇優取銅箔的室溫電沉積制備方法，其特征在于，所述步驟2)中陰極金屬材料按以下方式制備而來：

將純度為99％、厚度為0.1mm的鈦片浸入無水乙醇中超聲清洗5分鐘，冷風吹干得到陰極金屬材料。

6.根據權利要求2所述高晶面擇優取向銅箔的室溫電沉積制備方法，其特征在于，所述步驟2)中陰極與陽極的間距為1.5～2.0cm。

7.根據權利要求2-6任一項所述高晶面擇優取向銅箔的室溫電沉積制備方法，其特征在于，所述步驟2)中電化學工作站沉積參數設置為：室溫下，沉積電流密度0.3-0.8A/cm²，沉積時間50ms，沉積靜置時間0-450ms，氧化電流密度0.05A/cm²，氧化時間20ms，氧化靜置時間20ms。

8.根據權利要求7所述高晶面擇優取向銅箔的室溫電沉積制備方法，其特征在于，所述步驟3)中得到的具有高晶面擇優取向的銅箔為銅(111)和銅(220)晶面取向擇優的銅箔。

9.根據權利要求8所述高晶面擇優取向銅箔的室溫電沉積制備方法，其特征在于，當沉積靜置時間為20ms時，所述銅箔(111)晶面取向最強；當靜置時間為300ms時，所述銅箔(220)晶面取向最強。