[發(fā)明專利]有機發(fā)光顯示裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202111172192.0 | 申請日: | 2021-10-08 |
| 公開(公告)號: | CN114388577A | 公開(公告)日: | 2022-04-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 宋在彬;D·鄭;金圣姬;李受姸;明在旻;白圣斗;金珉成 | 申請(專利權(quán))人: | 樂金顯示有限公司;延世大學(xué)校產(chǎn)學(xué)協(xié)力團 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 有機 發(fā)光 顯示裝置 | ||
1.一種有機發(fā)光顯示裝置,包括:
第一基板,所述第一基板包括多個子像素,并且在所述第一基板中限定有顯示區(qū)域和包圍所述顯示區(qū)域的非顯示區(qū)域;
設(shè)置在所述第一基板上的薄膜晶體管;
設(shè)置在所述薄膜晶體管上的有機發(fā)光二極管;
面向所述第一基板的第二基板;
填充所述第二基板和所述有機發(fā)光二極管之間的間隔的填充部;和
設(shè)置在所述非顯示區(qū)域中且圍繞所述填充部的壩結(jié)構(gòu),
其中所述壩結(jié)構(gòu)和所述填充部中的至少一者包括吸氣劑,并且
所述吸氣劑由表面被改性成由氨基硅烷基化合物制成的第一表面改性部和結(jié)合至所述第一表面改性部且由包括丙烯酸酯基和甲基丙烯酸酯基的化合物制成的第二表面改性部的氧化鎂顆粒構(gòu)成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置,其中所述氧化鎂顆粒具有從10nm至300nm的平均直徑。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置,其中所述氨基硅烷基化合物包括選自3-(三甲氧基硅基丙基)二乙烯三胺、(3-氨基丙基)三甲氧基硅烷、1-(3-(三甲氧基硅基)丙基)脲、(3-氨基丙基)三乙氧基硅烷、3-氨基丙基-甲基-二乙氧基硅烷、N-3-(三甲氧基硅基)丙基乙烯二胺、和N-(3-(二甲氧基甲基硅基)丙基乙烯二胺)中的至少一者。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置,其中所述包括丙烯酸酯基和甲基丙烯酸酯基的化合物是甲基丙烯酸3-(丙烯酰氧基)-2-羥基丙酯。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置,其中所述氨基硅烷基化合物的氨基和所述包括丙烯酸酯基和甲基丙烯酸酯基的化合物的丙烯酸酯基通過邁克爾加成反應(yīng)彼此化學(xué)結(jié)合。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置,其中所述壩結(jié)構(gòu)和所述填充部中的至少一者包括所述吸氣劑和具有待結(jié)合至所述吸氣劑的官能團的基質(zhì)樹脂。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機發(fā)光顯示裝置,其中所述基質(zhì)樹脂是丙烯酸基樹脂并且所述待結(jié)合至所述吸氣劑的官能團是(甲基)丙烯酸酯基。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機發(fā)光顯示裝置,其中所述吸氣劑以基于所述基質(zhì)樹脂和所述吸氣劑的總重量的0.5重量%至20重量%的比例被包括。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置,其中所述壩結(jié)構(gòu)進一步包括間隔物和填料。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置,其中所述填充部進一步包括填料。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置,其中所述第一基板在所述顯示區(qū)域中包括多個子像素,并且
所述有機發(fā)光二極管發(fā)射白光,且
所述有機發(fā)光顯示裝置進一步包括設(shè)置在所述第二基板的一部分中的濾色器。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的有機發(fā)光顯示裝置,其中所述多個子像素的每一個都包括發(fā)射區(qū)域和透射區(qū)域。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的有機發(fā)光顯示裝置,其中所述有機發(fā)光二極管包括設(shè)置在所述薄膜晶體管上的陽極、設(shè)置在所述陽極上的白色有機發(fā)光層、和設(shè)置在所述白色有機發(fā)光層上的陰極,并且
所述陽極與所述透射區(qū)域交疊,且所述白色有機發(fā)光層與所述發(fā)射區(qū)域和所述透射區(qū)域交疊。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





