[發明專利]一種非侵入式磁通聚集器及電流檢測方法在審
| 申請號： | 202111171504.6 | 申請日： | 2021-10-08 |
| 公開（公告）號： | CN113899932A | 公開（公告）日： | 2022-01-07 |
| 發明（設計）人： | 唐欣;楊豪杰;譚文鍇;柴金超;黃晟;李曉萌;潘一彬;何洋 | 申請（專利權）人： | 長沙理工大學 |
| 主分類號： | G01R15/20 | 分類號： | G01R15/20;G01R19/00 |
| 代理公司： | 長沙軒榮專利代理有限公司 43235 | 代理人： | 黃藝平 |
| 地址： | 410000 湖*** | 國省代碼： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 侵入 式磁通 聚集 電流 檢測 方法 | ||
1.一種非侵入式磁通聚集器，其特征在于，包括：
兩個軟磁，兩個所述軟磁對稱設置在TMR傳感器的敏感軸兩側；
兩個所述軟磁之間的縫隙形成空氣間隙。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于,所述軟磁為T型。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于,所述空氣間隙的值為所述軟磁規格內的最小值；
所述軟磁的長寬比的范圍為0.75-0.85；
所述軟磁的內長比和所述軟磁的面積為所述軟磁規格內的最大值。
4.一種電流檢測方法，其特征在于，所述方法應用于權利要求1至3中任一項所述的磁通聚集器，所述方法包括：
提供一磁通聚集器和待測線路；
將所述磁通聚集器放置于待測線路對應的目標磁場中，得到電壓值；
通過偏最小二乘法分別對所述磁通聚集器的結構參數和退磁因子進行建模，得到所述退磁因子與所述結構參數的關聯系數；
根據所述關聯系數計算所述退磁因子的數值；
根據所述退磁因子的數值和所述電壓值計算所述待測線路的電流量。
5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于,所述通過偏最小二乘法分別對所述磁通聚集器的結構參數和退磁因子進行建模，得到所述退磁因子與所述結構參數的關聯系數的步驟，包括：
將所述結構參數建立自變量矩陣，以及，將所述退磁因子建立因變量矩陣；
將所述自變量矩陣和所述因變量矩陣進行電磁仿真操作，得到所述關聯系數。
6.根據權利要求4所述的方法，其特征在于,所述根據所述退磁因子的數值和所述電壓值計算所述待測線路的電流量的步驟，包括：
根據所述退磁因子的數值和所述磁通聚集器對應的相對磁導率計算放大因子；
根據所述放大因子和所述電壓值，計算所述待測線路的電流量。
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