[發(fā)明專利]利用臥式熱處理爐的硅晶圓的熱處理方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202111170674.2
• 申請日: 2021-10-08
• 公開（公告）號: CN114300379A
• 公開（公告）日: 2022-04-08
• 發(fā)明（設計）人: 桑野嘉宏;野口廣;森下隆博
• 申請（專利權）人: 勝高股份有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/324;H01L21/22
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 張澤洲;司昆明

1.一種利用臥式熱處理爐的硅晶圓的熱處理方法，其特征在于，

準備臥式熱處理爐，前述臥式熱處理爐具有爐芯管和加熱器，前述爐芯管具有橫向的中心軸，為圓筒形狀，前述加熱器位于前述爐芯管的周圍，將前述爐芯管加熱，在前述爐芯管的一方的端部設置蓋，在前述爐芯管的另一方的端部設置氣體導入口，在前述爐芯管的前述蓋的附近的爐壁設置有氣體排氣口，

將前述爐芯管的距前述蓋較近的一方設為爐口側、將前述爐芯管的距前述氣體導入口較近的一方設為爐里側時，打開前述蓋，在前述爐芯管內配置晶舟，使得呈以下的A至C的狀態(tài)，

A在前述晶舟上，以主面與前述爐芯管的中心軸正交的方式排列多張硅晶圓，形成晶圓組，

B在前述晶舟上的比前述晶圓組靠爐里側的位置，與前述晶圓組離開地配置具有與前述爐芯管的中心軸平行的軸的圓柱形狀的第1保溫塊，在比前述晶圓組靠爐口側的位置，與前述晶圓組離開地配置具有與前述爐芯管的中心軸平行的軸的圓柱形狀的第2保溫塊，

C分別以其主面與前述爐芯管的中心軸正交的方式，在前述晶舟上的比前述第1保溫塊靠爐里側的位置配置第1偽晶圓，在前述第1保溫塊與前述晶圓組之間配置第2偽晶圓，在前述第2保溫塊與前述晶圓組之間配置第3偽晶圓，在比前述第2保溫塊靠爐口側的位置配置第4偽晶圓，前述第1至第4偽晶圓的Fe的濃度不足1×10¹¹atoms/cm³，Ni及Cu的濃度分別不足5×10¹⁰atoms/cm³，

關閉前述蓋，

從前述氣體導入口向前述爐芯管內導入氣體，從前述氣體排氣口排出前述氣體，且借助前述加熱器加熱前述爐芯管，由此對前述多張硅晶圓實施熱處理。

2.如權利要求1所述的利用臥式熱處理爐的硅晶圓的熱處理方法，其特征在于，

前述爐芯管的中心軸的方向上的前述第1保溫塊與前述晶圓組的距離及前述第2保溫塊與前述晶圓組的距離為5mm以上。

3.如權利要求1或2所述的利用臥式熱處理爐的硅晶圓的熱處理方法，其特征在于，

前述爐芯管的中心軸的方向上的前述第1保溫塊與前述第1偽晶圓的距離、前述第1保溫塊與前述第2偽晶圓的距離、前述第2保溫塊與前述第3偽晶圓的距離、及前述第2保溫塊與前述第4偽晶圓的距離為2mm以下。

4.如權利要求3所述的利用臥式熱處理爐的硅晶圓的熱處理方法，其特征在于，

前述爐芯管的中心軸的方向上的前述第1保溫塊與前述第1偽晶圓的距離、前述第1保溫塊與前述第2偽晶圓的距離、前述第2保溫塊與前述第3偽晶圓的距離、及前述第2保溫塊與前述第4偽晶圓的距離為0mm。

5.如權利要求1或2所述的利用臥式熱處理爐的硅晶圓的熱處理方法，其特征在于，

前述第1至第4偽晶圓為硅晶圓。

6.如權利要求1或2所述的利用臥式熱處理爐的硅晶圓的熱處理方法，其特征在于，

前述第1至第4偽晶圓的厚度在1至5mm的范圍內。

7.如權利要求1或2所述的利用臥式熱處理爐的硅晶圓的熱處理方法，其特征在于，

前述第1至第4偽晶圓的直徑與前述第1及第2保溫塊的直徑相等。

8.如權利要求1或2所述的利用臥式熱處理爐的硅晶圓的熱處理方法，其特征在于，

前述第1及第2保溫塊由Fe、Ni、及Cu的某個的濃度為1×10¹¹atoms/cm³以上的硅構成。

9.如權利要求1或2所述的利用臥式熱處理爐的硅晶圓的熱處理方法，其特征在于，

前述第1及第2保溫塊的直徑與前述多張硅晶圓的直徑相等。

10.如權利要求1或2所述的利用臥式熱處理爐的硅晶圓的熱處理方法，其特征在于，

前述第1及第2保溫塊的沿著前述爐芯管的中心軸的寬度在40至75mm的范圍內。

11.一種硅晶圓的制造方法，其特征在于，

包括權利要求1至10的任一項所述的利用臥式熱處理爐的硅晶圓的熱處理方法。