[發明專利]半導體功率器件在審
| 申請號： | 202111170049.8 | 申請日： | 2021-10-08 |
| 公開（公告）號： | CN115966590A | 公開（公告）日： | 2023-04-14 |
| 發明（設計）人： | 劉磊;劉偉;袁愿林;王睿 | 申請（專利權）人： | 蘇州東微半導體股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06;H01L27/07 |
| 代理公司： | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人： | 李禮 |
| 地址： | 215123 江蘇省蘇州市蘇州工業園*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 功率 器件 | ||
【權利要求書】：
1.半導體功率器件，其特征在于，包括：
n型漏區；
位于所述n型漏區之上的n型漂移區；
若干個p型柱，所述p型柱與相鄰的所述n型漂移區形成pn結結構；
所述p型柱頂部設有第一p型體區，所述第一p型體區內設有第一n型源區；
介于相鄰兩個所述第一p型體區之間的兩個柵極結構，所述柵極結構包括柵溝槽以及位于所述柵溝槽內的柵介質層和柵極；
介于所述兩個柵極結構之間的導電層，所述導電層與所述n型漂移區接觸形成肖特基二極管。
2.如權利要求1所述的半導體功率器件，其特征在于，還包括第二p型體區，所述第二p型體區設于所述兩個柵極結構之間且位于所述n型漂移區上方，所述導電層貫穿所述第二p型體區與所述n型漂移區接觸形成肖特基二極管。
3.如權利要求2所述的半導體功率器件，其特征在于，所述第二p型體區內設有第二n型源區。
4.如權利要求1所述的半導體功率器件，其特征在于，至少有一個所述p型柱浮空設置。
5.如權利要求1所述的半導體功率器件，其特征在于，至少有一個所述柵極外接源極電壓，且至少有一個所述柵極外接柵極電壓。
6.如權利要求5所述的半導體功率器件，其特征在于，外接源極電壓的所述柵極所在的柵極結構中的柵介質層的厚度小于外接柵極電壓的所述柵極所在的柵極結構中的柵介質層的厚度。
7.如權利要求1所述的半導體功率器件，其特征在于，所述導電層外接源極電壓。
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