[發明專利]一種輻照加固的SiC超結MOS結構

有效

• 申請號: 202111167188.5
• 申請日: 2021-10-03
• 公開（公告）號: CN114050186B
• 公開（公告）日: 2023-09-19
• 發明（設計）人: 周新田;張仕達;賈云鵬;胡冬青;吳郁
• 申請（專利權）人: 北京工業大學
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L29/16;H01L29/167;H01L29/423
• 代理公司: 北京思海天達知識產權代理有限公司 11203
• 代理人: 劉萍

1.一種輻照加固的SiC超結MOS結構，其特征在于，包括：

N+漏區（1）；

P柱分為左中右三部分（2-1）、（2-2）、（2-3），N柱分為左右兩部分（3-1）、（3-2），并以左側P柱（2-1）、左側N柱（3-1）、中間P柱（2-2）、右側N柱（3-2）、右側P柱（2-3）的順序交替排列，并位于所述N+漏區（1）的上表面；

P-base區（5）分為左右兩部分，左側P-base區（5-1）位于所述左側N柱（3-1）的上表面，右側P-base區（5-2）位于所述右側N柱（3-2）的上表面；

N-source區（4）分為左右兩部分，左側N-source區（4-1）位于左側P-base區（5-1）的預設區的上表面，右側N-source區（4-2）位于右側P-base區（5-2）的預設區的上表面；

P-plus區（8）分為左右兩部分，左側P-plus區（8-1）位于左側P柱（2-1）的上表面，左側N-source區（4-1）及左側P-base區的預設區（5-1）的左側面；右側P-plus區（8-2）位于所述左側P柱（2-3）的上表面，右側N-source區（4-2）及右側P-base區的預設區（5-2）的右側面；

柵氧（9）位于所述左側N-source區（4-1）部分區域、右側N-source區（4-2）部分區域、左側P-base區的預設區（5-1）部分區域、右側P-base區的預設區（5-2）部分區域、部分N柱的上表面；

多晶硅柵（6）位于柵氧（9）的上表面；

隔離氧（7）位于所述多晶硅柵（6）的上表面；

左中右三個P柱（2-1）、（2-2）、（2-3）在芯片內部連為一體，并與左側P-plus區（8-1）、右側P-plus(8-2)相連。

2.按照權利要求1所述的一種輻照加固的SiC超結MOS結構，其特征在于，所述柵氧（9）厚度為40nm~150nm。

3.按照權利要求1所述的一種輻照加固的SiC超結MOS結構，其特征在于，所述多晶硅柵的材料為多晶硅，該多晶硅為N型摻雜，摻雜元素為磷元素，摻雜濃度為1×10¹⁹~1×10²⁰cm^-3?。

4.按照權利要求1所述的一種輻照加固的SiC超結MOS結構，其特征在于，所述N柱為SiC，摻雜類型為N型外延摻雜，摻雜元素為氮元素或磷元素，摻雜濃度為1×10¹⁵~1×10¹⁸cm^-3，厚度為5~30μm。

5.按照權利要求1所述的一種輻照加固的SiC超結MOS結構，其特征在于，所述P柱為SiC，摻雜類型為P型離子注入，摻雜元素為鋁元素或硼元素，摻雜濃度為1×10¹⁵~1×10¹⁸cm^-3，厚度為5~30μm。