[發(fā)明專(zhuān)利]一種抗輻照封裝結(jié)構(gòu)及方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202111164111.2
• 申請(qǐng)日: 2021-09-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113793843A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-12-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 錢(qián)靖;任真?zhèn)?/a>;陳顯平;羅厚彩
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 重慶平創(chuàng)半導(dǎo)體研究院有限責(zé)任公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L23/552
• 分類(lèi)號(hào): H01L23/552;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56
• 代理公司: 重慶強(qiáng)大凱創(chuàng)專(zhuān)利代理事務(wù)所(普通合伙) 50217
• 代理人: 趙玉乾

1.一種抗輻照封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：包括具有抗輻照功能的內(nèi)嵌外殼、以及用于對(duì)待塑封器件進(jìn)行塑封的第一塑封件和第二塑封件；

所述內(nèi)嵌外殼倒扣在第一塑封件的外表面，且內(nèi)嵌外殼與待塑封器件固定連接；所述第二塑封件包裹著內(nèi)嵌外殼。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抗輻照封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述內(nèi)嵌外殼與第一塑封件之間設(shè)有塑料親和層，所述內(nèi)嵌外殼和第二塑封件之間也設(shè)有塑料親和層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種抗輻照封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述塑料親和層的材料為銀或者銅。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的抗輻照封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述待塑封器件包括基板、引腳、芯片以及鍵合線；

所述芯片與基板固定連接，所述芯片與所述引腳之間通過(guò)鍵合線互聯(lián)；

所述芯片和所述鍵合線設(shè)置于所述第一塑封件內(nèi)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的抗輻照封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述內(nèi)嵌外殼的材料為高序數(shù)金屬，當(dāng)所述內(nèi)嵌外殼的材料為高序數(shù)金屬時(shí)，所述內(nèi)嵌外殼與所述待塑封器件通過(guò)焊膏固定連接，所述焊膏的材料則為絕緣材料。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的抗輻照封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述內(nèi)嵌外殼的材料為寬緊帶半導(dǎo)體。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的抗輻照封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：塑料親和層的厚度在150nm到600um范圍內(nèi)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的抗輻照封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述內(nèi)嵌外殼的厚度在0.5um-1.5mm范圍內(nèi)。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的抗輻照封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述內(nèi)嵌外殼分別與基板和引腳通過(guò)焊膏固定連接，所述焊膏的焊層厚度在40um-350um范圍內(nèi)。

10.一種抗輻照封裝方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟一、將芯片固定連接在基板上；

步驟二、利用鍵合線，將芯片的電極與引腳進(jìn)行連接；

步驟三、進(jìn)行第一次塑封，形成第一塑封件，第一塑封件的塑封區(qū)域橫向包括但不限于芯片和鍵合線的尾部，縱向上要高于鍵合線拱起的最高點(diǎn)；

步驟四、在內(nèi)嵌外殼的表面生長(zhǎng)一層的塑料親和層，對(duì)應(yīng)的材料為銀或者銅；

步驟五、將內(nèi)嵌外殼倒扣在第一塑封件的外表面上，內(nèi)嵌外殼的材料為寬緊帶半導(dǎo)體或者高序數(shù)金屬；

步驟六、將內(nèi)嵌外殼與基板和引腳的接觸區(qū)域進(jìn)行固定連接；

步驟七、進(jìn)行第二次塑封，將內(nèi)嵌外殼包裹起來(lái)，形成第二塑封件，所述第二塑封件的塑封區(qū)域橫向左側(cè)應(yīng)不超過(guò)基板區(qū)域，右側(cè)引腳區(qū)域留下足夠的電路接觸距離，縱向上高于內(nèi)嵌外殼的上表面；

步驟八、對(duì)整體進(jìn)行降溫，使其凝固，最后器件成型。