[發(fā)明專利]一種金屬離子沉淀抑制劑及其應(yīng)用、抑制離子沉淀的方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202111163548.4
• 申請日: 2021-09-30
• 公開（公告）號: CN113943421A
• 公開（公告）日: 2022-01-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 孟國哲;任盼盼;劉國強;楊柳;曾彥瑋;郭宏磊;雷冰;馮志遠(yuǎn)
• 申請（專利權(quán)）人: 中山大學(xué)
• 主分類號: C08G77/02
• 分類號: C08G77/02;C08G77/04;C08G77/06;C08G77/14;C01B33/145
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 許慶勝

本申請屬于離子沉淀技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種金屬離子沉淀抑制劑及其應(yīng)用、抑制金屬離子沉淀的方法。本申請第一方面提供了一種金屬離子沉淀抑制劑，包括：硅酸四乙酯、烷氧基硅烷和溶劑；所述烷氧基硅烷選自3?環(huán)氧丙基氧丙基三甲氧基硅烷、甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、乙烯基三乙氧硅烷、γ?巰基丙基三甲氧基硅烷和γ?甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷中的一種或多種。本申請第二方面公開了所述金屬離子沉淀抑制劑在制備含有金屬離子的堿性溶膠中的應(yīng)用。本申請?zhí)峁┝艘环N金屬離子沉淀抑制劑及其應(yīng)用、抑制金屬離子沉淀的方法，有效解決了金屬離子在堿性環(huán)境中容易產(chǎn)生沉淀，影響使用的技術(shù)問題。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請屬于離子沉淀技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種金屬離子沉淀抑制劑及其應(yīng)用、抑制金屬離子沉淀的方法。

背景技術(shù)

稀土元素Ce、La、Y等具有廣泛的用途，施用稀土都得先把固體稀土放入水中溶解，配制成一定濃度的溶液，這類稀土離子呈酸性，在堿性條件下極易生成沉淀，如pH＝6.7～8.0，Y³⁺開始產(chǎn)生Y(OH)₃沉淀，pH＝3～4，Ce³⁺就開始產(chǎn)生沉淀Ce(OH)₃，出現(xiàn)沉淀后，會嚴(yán)重影響使用效果。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本申請?zhí)峁┝艘环N金屬離子沉淀抑制劑及其應(yīng)用、抑制金屬離子沉淀的方法，有效解決了金屬離子在堿性環(huán)境中容易產(chǎn)生沉淀，影響使用的技術(shù)問題。

本申請第一方面提供了一種金屬離子沉淀抑制劑，包括：

硅酸四乙酯、烷氧基硅烷和溶劑；

所述烷氧基硅烷選自3-環(huán)氧丙基氧丙基三甲氧基硅烷(GPTMS)、甲基三甲氧基硅烷(MTMS)、甲基三乙氧基硅烷(MTES)、乙烯基三乙氧硅烷 (VTEO)、γ-巰基丙基三甲氧基硅烷(MPTMS)和γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷(MAPTS)中的一種或多種。

具體的，所述烷氧基硅烷為3-環(huán)氧丙基氧丙基三甲氧基硅烷(GPTMS)。

另一實施例中，所述溶劑選自水、甲醇、無水乙醇、二甲基甲酰胺、二甲基亞砜、N-甲基吡咯烷酮、丁酮、環(huán)己酮、甲酸乙酯、四氫呋喃、二氧六環(huán)、丙酮、四氯乙烷、丙腈、吡啶、環(huán)己醇、正丁醇、異丁醇、異丙醇、正丙醇、乙腈、二甲基乙酰胺、乙酸、碳酸乙烯酯、丙二腈、乙二醇、丙三醇和甲酰胺的一種或多種，優(yōu)選為無水乙醇或異丁醇中的一種或多種。

另一實施例中，所述硅酸四乙酯與所述烷氧基硅烷的質(zhì)量比為1：(0.05～10)。

另一實施例中，所述硅酸四乙酯與所述烷氧基硅烷的質(zhì)量比為1： (0.087～1.74)。

另一實施例中，所述金屬離子沉淀抑制劑，還包括表面活性劑、消泡劑和顏料中的一種或多種。

另一實施例中，

所述表面活性劑選自硬脂酸、十二烷基苯磺酸鈉、季銨化物、卵磷脂、氨基酸型、甜菜堿型、脂肪酸甘油酯、脂肪酸山梨坦、聚山梨酯、二辛基琥珀酸磺酸鈉、十二烷基苯磺酸鈉和甘膽酸鈉中的一種或多種；

所述消泡劑選自乳化硅油、高碳醇脂肪酸酯復(fù)合物、聚氧乙烯聚氧丙烯季戊四醇醚、聚氧乙烯聚氧丙醇胺醚、聚氧丙烯甘油醚和聚氧丙烯聚氧乙烯甘油醚、聚二甲基硅氧烷中的一種或多種；

所述顏料選自偶氮顏料、酞菁顏料、蒽醌、靛族、喹吖啶酮、二惡嗪、芳甲烷系顏料、氧化鐵紅、炭黑、金紅石型鈦白粉和丙烯顏料中的一種或多種。

具體的，所述表面活性劑的添加濃度為0.001～10g/mL，優(yōu)選為 0.1～0.5g/mL；所述消泡劑的添加濃度為0.001g/mL～10g/mL，優(yōu)選為 0.001g/mL～0.05g/mL；所述顏料的添加質(zhì)量為0.01～5g，優(yōu)選為0.01g～0.1g。