[發(fā)明專利]一種碳化硅晶圓加工工藝

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202111162163.6
• 申請(qǐng)日: 2021-09-30
• 公開（公告）號(hào): CN113903656A
• 公開（公告）日: 2022-01-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 嚴(yán)立巍;符德榮;陳政勛;文鍾
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 浙江同芯祺科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/02
• 分類號(hào): H01L21/02;H01L21/683
• 代理公司: 北京同輝知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11357
• 代理人: 李曉峰

1.一種碳化硅晶圓加工工藝，其特征在于，包括以下步驟：

S1、在硅載板表面通過CVD沉積SiO₂層，然后將碳化硅基板背面與硅載板鍵合，利用SiO₂使碳化硅基板與硅載板形成永久性鍵合，；

S2、完成碳化硅基板的減薄，同時(shí)完成除高溫制程外的其他晶圓正面制程；

S3、將完成正面晶圓制程的碳化硅基板轉(zhuǎn)移到石墨托盤上，然后將石墨托盤放入蝕池中蝕刻SiO₂層，解除碳化硅基板與硅載板的永久鍵合，移除硅載板后將碳化硅基板沖洗干凈；

S4、利用石墨托盤承載碳化硅基板進(jìn)行高溫制程；

S5、將完成高溫制程的碳化硅基板取出，碳化硅基板背面涂布黏著劑并鍵合玻璃載板，移除石墨托盤；

S6、于碳化硅基板正面背面涂布黏著劑并鍵合玻璃載板，利用激光穿透碳化硅基板背面玻璃載板使釋放劑分解,使碳化硅基板背面玻璃載板解鍵合，移除碳化硅基板背面玻璃載板；

S7、完成碳化硅基板背面晶圓制程；

S8、將碳化硅基板轉(zhuǎn)移到切割模框上，利用激光穿透碳化硅基板正面玻璃載板使釋放劑分解,使碳化硅基板正面玻璃載板解鍵合，移除碳化硅基板正面玻璃載板，完成晶圓的切割。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅晶圓加工工藝，其特征在于，所述步驟S1中一次性將多塊碳化硅基板與硅載板鍵合，具體步驟為：

S101、將硅載板和碳化硅基板清洗干凈，通過電漿對(duì)硅基載板表面處理，激發(fā)硅基載板原子活性鍵；

S102、將碳化硅基板水平排列鍵合在硅基載板表面；

S103、將放置好碳化硅基板的硅載板放入高溫爐管中進(jìn)行高溫回火，使碳化硅基板與硅基載板形成永久鍵合結(jié)構(gòu)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的碳化硅晶圓加工工藝，其特征在于，所述步驟S103中高溫回火的溫度為800-1400℃，高溫爐管的升溫速率小于15℃/min。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅晶圓加工工藝，其特征在于，所述步驟S3中石墨托盤表面對(duì)應(yīng)碳化硅基板處開設(shè)有凹槽，所述凹槽大小與碳化硅基板尺寸契合。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅晶圓加工工藝，其特征在于，所述步驟S3中利用蝕刻液對(duì)SiO₂和Si的蝕刻選擇比不同，蝕刻除去SiO₂層。