[發明專利]OLED顯示模組、OLED顯示模組的制備方法及電子設備

在審

• 申請號: 202111160762.4
• 申請日: 2021-09-30
• 公開（公告）號: CN113921739A
• 公開（公告）日: 2022-01-11
• 發明（設計）人: 秦祿東;李志林
• 申請（專利權）人: OPPO廣東移動通信有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/56;G02B5/00;B82Y30/00
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300
• 代理人: 聞盼盼

1.一種OLED顯示模組，其特征在于，包括：

襯底；

OLED器件，設置于所述襯底上，所述OLED器件背離所述襯底的一側為出光側；

第一金屬納米顆粒層，設置于所述OLED器件背離所述襯底的一側。

2.根據權利要求1所述的OLED顯示模組，其特征在于，所述第一金屬納米顆粒層中的金屬納米顆粒的粒徑為1nm～100nm；和/或

所述第一金屬納米顆粒層的厚度為4nm～6nm；和/或

所述第一金屬納米顆粒層的材料包括金和銀中的至少一種。

3.根據權利要求1所述的OLED顯示模組，其特征在于，所述OLED顯示模組還包括第一封裝保護層，所述第一封裝保護層設于所述第一金屬納米顆粒層背離所述OLED器件的一側，并且，所述第一封裝保護層包覆所述第一金屬納米顆粒層和所述OLED器件。

4.根據權利要求3所述的OLED顯示模組，其特征在于，所述第一封裝保護層的厚度為40nm～60nm；和/或

所述第一封裝保護層的材料包括氧化鉬。

5.根據權利要求3所述的OLED顯示模組，其特征在于，所述OLED顯示模組還包括第二金屬納米顆粒層與第二封裝保護層，所述第二金屬納米顆粒層設于所述第一封裝保護層背離所述第一金屬納米顆粒層的一側，所述第二封裝保護層設于所述第二金屬納米顆粒層背離所述第一封裝保護層的一側，并且，所述第二封裝保護層包覆所述第二金屬納米顆粒層和所述第一封裝保護層。

6.根據權利要求1-5中任一項所述的OLED顯示模組，其特征在于，所述OLED器件包括陰極、電子注入層、電子傳輸層、發光層、空穴傳輸層、空穴注入層以及陽極，所述陰極設于所述襯底上，所述電子注入層設于所述陰極背離所述襯底的一側，所述電子傳輸層設于所述電子注入層背離所述陰極的一側，所述發光層設于所述電子傳輸層背離所述電子注入層的一側，所述空穴傳輸層設于所述發光層背離所述電子傳輸層的一側，所述空穴注入層設于所述空穴傳輸層背離所述發光層的一側，所述陽極設于所述空穴注入層背離所述空穴傳輸層的一側，其中，所述陽極為透光電極。

7.一種OLED顯示模組的制備方法，其特征在于，包括：

提供襯底，在所述襯底上制備OLED器件；

在所述OLED器件背離所述襯底的一側制備第一金屬納米顆粒層。

8.根據權利要求7所述的OLED顯示模組的制備方法，其特征在于，所述在所述OLED器件背離所述襯底的一側制備第一金屬納米顆粒層包括：采用蒸鍍的方法以的速率制備所述第一金屬納米顆粒層。

9.根據權利要求7所述的OLED顯示模組的制備方法，其特征在于，所述OLED顯示模組的制備方法還包括：

在所述第一金屬納米顆粒層背離所述OLED器件的一側制備第一封裝保護層，所述第一封裝保護層包覆所述第一金屬納米顆粒層和所述OLED器件。

10.根據權利要求9所述的OLED顯示模組的制備方法，其特征在于，所述在所述第一金屬納米顆粒層背離所述OLED器件的一側制備第一封裝保護層包括：采用蒸鍍的方法以的速率制備所述第一封裝保護層，所述第一封裝保護層的材料包括氧化鉬。

11.根據權利要求9所述的OLED顯示模組的制備方法，其特征在于，所述OLED顯示模組的制備方法還包括：

在所述第一封裝保護層背離所述第一金屬納米顆粒層的一側制備第二金屬納米顆粒層；

在所述第二金屬納米顆粒層背離所述第一封裝保護層的一側制備第二封裝保護層，所述第二封裝保護層包覆所述第二金屬納米顆粒層和所述第一封裝保護層。

12.一種電子設備，其特征在于，包括如權利要求1-6中任一項所述的OLED顯示模組。