[發(fā)明專(zhuān)利]提高電極粘連質(zhì)量的紅光二極管芯片及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202111158551.7
• 申請(qǐng)日: 2021-09-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113594322B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-03-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蘭葉;朱廣敏;王江波
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 華燦光電（蘇州）有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L33/36
• 分類(lèi)號(hào): H01L33/36;H01L33/40;H01L33/00
• 代理公司: 北京三高永信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11138
• 代理人: 徐立

本公開(kāi)提供了提高電極粘連質(zhì)量的紅光二極管芯片及其制備方法，屬于發(fā)光二極管技術(shù)領(lǐng)域。p焊點(diǎn)所連通的一次p電極位于氧化硅鍵合層上，且一次p電極遠(yuǎn)離襯底的表面與氧化硅鍵合層遠(yuǎn)離襯底的表面齊平，絕緣的氧化硅鍵合層本身支撐外延結(jié)構(gòu)以及一次p電極。p電極與氧化硅鍵合層上的外延結(jié)構(gòu)可以保持較為完整的狀態(tài)，不易損壞。再增加與一次p電極連通的p焊點(diǎn)，與一次n電極連通的n焊點(diǎn)，金屬材料構(gòu)成的電極與焊點(diǎn)具有較好的抵抗應(yīng)力的能力且難以被破壞，保證外延結(jié)構(gòu)與電極、焊點(diǎn)之間的穩(wěn)定連接，提高電極粘連質(zhì)量以提高得到的紅光二極管芯片的制備良率。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開(kāi)涉及發(fā)光二極管技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種提高電極粘連質(zhì)量的紅光二極管芯片及其制備方法。

背景技術(shù)

紅光發(fā)光二極管是一種常見(jiàn)光源器件，廣泛應(yīng)用于遠(yuǎn)程遙控，車(chē)輛傳感，閉路電視等方面，紅光發(fā)光二極芯片則是用于制備紅光發(fā)光二極管的基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)。

紅光發(fā)光二極管芯片通常包括外延片與p、n焊點(diǎn)。外延片包括支撐襯底及依次層疊在支撐襯底上的p-GaP窗口層、p-AlInP限制層、多量子阱層、n-AlInP限制層、n-AlGaInP電流擴(kuò)展層、保護(hù)層與布拉格反射鏡，p焊點(diǎn)與n焊點(diǎn)分別連通至p-GaP窗口層與n-AlGaInP電流擴(kuò)展層。

在制備紅光發(fā)光二極管的過(guò)程中，需要從n-AlGaInP電流擴(kuò)展層制備延伸至p-GaP窗口層的凹槽，以在p-GaP窗口層被凹槽暴露的表面連接p焊點(diǎn)。由于凹槽通常會(huì)從p-GaP窗口層刻蝕一定的深度，導(dǎo)致與p焊點(diǎn)連接的位置的p-GaP窗口層的厚度較薄，且p-GaP窗口層本身材料較脆，將p-GaP窗口層焊接至支撐襯底的過(guò)程中容易出現(xiàn)p-GaP窗口層損傷而導(dǎo)致p-GaP窗口層與p焊點(diǎn)接觸不良、芯片不發(fā)光的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容

本公開(kāi)實(shí)施例提供了提高電極粘連質(zhì)量的紅光二極管芯片及其制備方法，能夠降低p-GaP窗口層與p電極接觸不良出現(xiàn)的可能性，提高得到的紅光發(fā)光二極管的成品良率。所述技術(shù)方案如下：

本公開(kāi)實(shí)施例提供了一種提高電極粘連質(zhì)量的紅光二極管芯片，所述提高電極粘連質(zhì)量的紅光二極管芯片包括外延片、p焊點(diǎn)與n焊點(diǎn)，

所述外延片包括支撐襯底及依次層疊在所述支撐襯底上的氧化硅鍵合層、一次p電極、p-GaP窗口層、p-AlInP限制層、多量子阱層、n-AlInP限制層、n-AlGaInP電流擴(kuò)展層、一次n電極與布拉格反射鏡，所述一次p電極遠(yuǎn)離所述襯底的表面與所述氧化硅鍵合層遠(yuǎn)離所述襯底的表面齊平，所述氧化硅鍵合層遠(yuǎn)離支撐襯底的表面具有與所述一次p電極對(duì)應(yīng)的槽，所述氧化硅鍵合層遠(yuǎn)離襯底的表面還與所述p-GaP窗口層相接，

所述p焊點(diǎn)與所述一次p電極連通，所述n焊點(diǎn)與所述一次n電極連通。

可選地，所述氧化硅鍵合層的厚度為2.5~3微米。

可選地，所述一次p電極的厚度為1.0~1.5微米。

可選地，所述p焊點(diǎn)包括依次層疊的第一Ti子層、第一Al子層、第二Ti子層、第一TiSn₁子層、第一TiSn₂子層、Sn子層、第二TiSn₂子層、第二TiSn₁子層、第三Ti子層、Ni子層與Au子層。

可選地，所述第一TiSn₁子層的中Sn的占比為18~22%，所述第一TiSn₂子層的中Sn的占比為48~52%。

可選地，所述第一TiSn₁子層的厚度小于所述第一TiSn₂子層的厚度，所述第一TiSn₂子層的厚度小于所述Sn子層的厚度。