[發明專利]一種含氟氧雜烷烴、包含其的用于半導體制程的冷卻劑及用途

在審

• 申請號: 202111158212.9
• 申請日: 2021-09-30
• 公開（公告）號: CN113773177A
• 公開（公告）日: 2021-12-10
• 發明（設計）人: 曾一錚;劉星;米欣
• 申請（專利權）人: 深圳市盈石科技有限公司
• 主分類號: C07C43/12
• 分類號: C07C43/12;C07C41/18;C07C41/42;C07C51/58;C07C59/135;C07D301/12;C07D303/48;C09K5/10;H01L21/67
• 代理公司: 北京中知星原知識產權代理事務所(普通合伙) 11868
• 代理人: 張文靜;艾變開

1.一種含氟氧雜烷烴，其特征在于，所述含氟氧雜烷烴具有如下結構：

2.一種用于半導體制程的冷卻劑，其特征在于，所述冷卻劑包含5～20wt％的權利要求1所述的含氟氧雜烷烴和80wt％以上的2-氫-全氟-5,8,11-三甲基-3,6,9,12-四氧雜十五烷，所述冷卻劑的沸程為170～190℃，傾點為-78～-82℃，-20℃的運動粘度12cst以下。

3.如權利要求2所述的冷卻劑，其特征在于，所述冷卻劑還包括5～15wt％的含有一個氫原子的全氟氧雜烷烴助劑，所述含有一個氫原子的全氟氧雜烷烴助劑包括含有一個氫原子的全氟氧雜烷十一烷烴、含有一個氫原子的全氟氧雜烷十二烷烴、含有一個氫原子的全氟氧雜烷十四烷烴中的任意一種或至少兩種的組合。

4.如權利要求2所述的冷卻劑，其特征在于，所述冷卻劑還包括2-氫-全氟-5,8-二甲基-3,6,9-三氧雜十一烷和2-氫-全氟-5,8-二甲基-3,6,9-三氧雜十二烷；

優選地，所述冷卻劑中，2-氫-全氟-5,8-二甲基-3,6,9-三氧雜十一烷和2-氫-全氟-5,8-二甲基-3,6,9-三氧雜十二烷的質量比為1:0.9～1.2。

5.如權利要求2～4之一所述的冷卻劑，其特征在于，所述冷卻劑還包括0.01～0.05wt％的金紅石型二氧化鈦，優選0.01～0.05wt％的片狀金紅石型二氧化鈦。

6.如權利要求3～5之一所述的冷卻劑，其特征在于，所述冷卻劑按重量百分比包括如下組分：

權利要求1所述的含氟氧雜烷烴 5～20wt％

2-氫-全氟-5,8,11-三甲基-3,6,9,12-四氧雜十五烷 80～95wt％；

優選地，所述冷卻劑按重量百分比包括如下組分：

權利要求1所述的含氟氧雜烷烴 5～20wt％

片狀金紅石型二氧化鈦 0.01～0.05wt％

2-氫-全氟-5,8,11-三甲基-3,6,9,12-四氧雜十五烷 80～94.99wt％。

7.如權利要求3～6之一所述的冷卻劑，其特征在于，所述冷卻劑按重量百分比包括如下組分：

優選地，所述冷卻劑按重量百分比包括如下組分：

8.一種如權利要求1～7之一所述的冷卻劑的用途，其特征在于，所述冷卻劑用作半導體制程中蝕刻基底的冷卻液；

優選地，所述半導體制程中，氦氣將制程的熱量帶走，攜帶熱量的氦氣與冷卻劑進行熱交換實現冷卻，熱交換后的冷卻劑被循環制冷。

9.如權利要求8所述的用途，其特征在于，所述半導體制程中，制程的最高溫度為120～140℃中的任一溫度。

10.一種半導體制程設備，其特征在于，所述半導體制程設備的最高制程溫度在120～140℃的制程單元內，設置有用于向所述制程單元空間通入氦氣的氦氣輸入管路和將所述制程單元空間的氣體循環出來的氦氣輸出管路，所述氦氣輸入管路和氦氣輸出管路在所述制程單元外部聯通成一個氦氣循環管路，并且所述氦氣循環管路通過冷卻液循環管路的內部，用于將所述管路內部的氦氣與所述冷卻液循環管路內的冷卻液進行熱交換。