[發(fā)明專利]半導體電路

在審

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• 申請日: 2021-09-29
• 公開（公告）號: CN113824348A
• 公開（公告）日: 2021-12-21
• 發(fā)明（設計）人: 馮宇翔;張土明;潘志堅;謝榮才;左安超
• 申請（專利權）人: 廣東匯芯半導體有限公司
• 主分類號: H02M7/48
• 分類號: H02M7/48;H02M1/084;H02M1/088
• 代理公司: 深圳市華勤知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 44426
• 代理人: 隆毅

1.一種半導體電路，其特征在于，包括高壓集成電路和三相逆變橋，所述高壓集成電路包括PWM信號緩存模塊、高壓驅動模塊、低壓驅動模塊和自舉模塊，所述PWM信號緩存模塊電連接所述高壓驅動模塊和所述低壓驅動模塊；

所述自舉模塊具有三路信號輸入端和三路高側浮動供電輸出端，所述三路信號輸入端對應電連接所述PWM信號緩存模塊的三個電平輸出端，所述三路高側浮動供電輸出端分別對應給所述三相逆變橋的三個上橋臂供電；所述高壓驅動模塊的三路高壓驅動輸出端分別驅動所述三相逆變橋的三個上橋臂，所述低壓驅動模塊的三路低壓驅動輸出端分別驅動所述三相逆變橋的三個下橋臂。

2.根據(jù)權利要求1所述的半導體電路，其特征在于，所述自舉模塊包括三路相同的自舉單元，所述三路信號輸入端與所述三路自舉單元一一對應，所述三路高側浮動供電輸出端與所述三路自舉單元一一對應。

3.根據(jù)權利要求2所述的半導體電路，其特征在于，每一路所述自舉單元均包括儲能電容、第一開關管、第二開關管、比較單元和邏輯轉換單元；

所述信號輸入端電連接所述第一開關管的導通控制端和所述邏輯轉換單元的第一輸入端，所述高側浮動供電輸出端電連接所述第一開關管的第一導通端和所述第二開關管的第一導通端；

所述比較單元的第一輸入端電連接電源，所述比較單元的第二輸入端電連接所述第一開關管的第二導通端，所述比較單元的輸出端電連接所述邏輯轉換單元的第二輸入端；

所述邏輯轉換單元的輸出端電連接第二開關管的導通控制端，所述第二開關管的第二導通端電連接所述電源，所述第二開關管的第一導通端經(jīng)所述儲能電容接地；

在所述高側浮動供電輸出端的電壓低于預設的第一閾值電壓時，所述信號輸入端接收到所述PWM信號緩存模塊輸出的高電平信號，所述第一開關管導通，所述第二開關管導通，所述電源向所述儲能電容充電；在所述高側浮動供電輸出端的電壓高于預設的第二閾值電壓時，所述信號輸入端接收所述PWM信號緩存模塊輸出的低電平信號，所述第一開關管截止，所述第二開關管截止，所述儲能電容進行放電。

4.根據(jù)權利要求3所述的半導體電路，其特征在于，所述比較單元包括第一電阻、第二電阻、延時電容和比較器，所述比較器的同相輸入端為所述比較單元的第一輸入端，所述比較器的反相輸入端分別經(jīng)所述第二電阻和所述延時電容接地；所述第一電阻的一端為所述比較單元的第二輸入端，另一端電連接所述比較器的反相輸入端。

5.根據(jù)權利要求3所述的半導體電路，其特征在于，所述邏輯轉換單元包括施密特觸發(fā)器、與非門器和反相器，所述與非門器的第一輸入端電連接所述施密特觸發(fā)器的輸出端，所述施密特觸發(fā)器的輸入端為所述邏輯轉換單元的第一輸入端，所述與非門器的第二輸入端為所述邏輯轉換單元的第二出入端，所述與非門器的輸出端電連接所述反相器的輸入端，所述反相器的輸出端為所述邏輯轉換單元的輸出端。

6.根據(jù)權利要求3所述的半導體電路，其特征在于，所述自舉單元還包括濾波電容，所述電源經(jīng)所述濾波電容接地。

7.根據(jù)權利要求2至6中任一項所述的半導體電路，其特征在于，還包括三路檢測單元和三路用于與外部MCU電連接的電壓反饋端，所述三路檢測單元與所述三路高側浮動供電輸出端一一對應，所述三路檢測單元與所述三路電壓反饋端一一對應；每一路所述檢測單元的檢測端均與其對應的高側浮動供電輸出端電連接，每一路所述檢測單元的輸出端均與其對應的電壓反饋端電連接。

8.根據(jù)權利要求7所述的半導體電路，其特征在于，所述三路檢測單元內置于所述高壓集成電路中。

9.根據(jù)權利要求1至6中任一項所述的半導體電路，其特征在于，所述高壓集成電路還包括與所述高壓驅動模塊和所述低壓驅動模塊電連接的保護模塊，所述保護模塊包括電壓欠壓保護電路、過流保護電路、過溫保護電路和短路保護電路。

10.根據(jù)權利要求9所述的半導體電路，其特征在于，所述高壓集成電路還包括驅動使能電路，所述保護模塊還包括故障檢測電路，所述故障檢測電路分別與所述驅動使能電路、所述電壓欠壓保護電路、所述過流保護電路、所述過溫保護電路和所述短路保護電路電連接。