[發明專利]一種金剛石鈍化氮化鎵器件多指柵互連結構及其制備方法

在審

• 申請號: 202111157486.6
• 申請日: 2021-09-30
• 公開（公告）號: CN114005804A
• 公開（公告）日: 2022-02-01
• 發明（設計）人: 郭懷新;李義壯;郁鑫鑫;孔月嬋;陳堂勝
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第五十五研究所
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48;H01L21/768
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司 32200
• 代理人: 曹蕓

1.一種金剛石鈍化氮化鎵器件多指柵互連結構，其特征在于，自上而下依次包括多指柵互連結構區、復合介質層、金剛石鈍化層、勢壘層、緩沖層及襯底；所述多指柵互連結構區包括源電極、漏電極以及柵電極，為垂直交叉互連結構；所述源電極由條狀源及將條狀源連接起來的源連接線組成，所述漏電極由條狀漏及將條狀漏連接起來的漏連接線組成，所述柵電極由條狀柵、以及將條狀柵連接起來的柵連接線以及柵引腳組成；所述條狀源、條狀漏貫穿復合介質層，所述源連接線和漏連接線在復合介質層上表面；所述條狀柵貫穿金剛石鈍化層，上與復合介質層接觸，下與勢壘層接觸；所述柵連接線則貫穿金剛石鈍化層，上與復合介質層接觸，下與勢壘層、條狀柵接觸；所述柵引腳穿過復合介質層、金剛石鈍化層，下與勢壘層、柵連接線接觸。

2.根據權利要求1所述的一種金剛石鈍化氮化鎵器件多指柵互連結構，其特征在于，所述復合介質層材料選取SiN介質，厚度在400-500納米。

3.根據權利要求1所述的一種金剛石鈍化氮化鎵器件多指柵互連結構，其特征在于，所述柵連接線在復合介質層下表面厚度為400-600納米，和金剛石鈍化厚度一致。

4.根據權利要求1所述的一種金剛石鈍化氮化鎵器件多指柵互連結構，其特征在于，所述源連接線和漏連接線，厚度均為400-600納米。

5.根據權利要求1所述的一種金剛石鈍化氮化鎵器件多指柵互連結構的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

1）基于傳統工藝先進行源、漏的功能區生長制備；

2）采用低溫CVD技術進行所述金剛石鈍化層的分步低溫生長；

3）采用PECVD技術進行所述刻蝕掩膜層生長；

4）采用ICP刻蝕技術進行柵區金剛石鈍化層的刻蝕，刻蝕出所述條狀柵圖形；

5）采用蒸發技術進行柵功能區生長制備；

6）采用PECVD技術進行所述復合介質層制備；

7）采用ICP刻蝕技術對復合介質層以及源漏功能區金剛石鈍化層的刻蝕，刻蝕出所述漏電極、條狀源以及柵引腳圖形；

8）采用傳統蒸發技術對源漏電極進行加厚互連以及柵引腳金屬化，完成金剛石鈍化氮化鎵器件多指柵互連結構的制備。