[發明專利]一種抗靜電聚酰亞胺薄膜及其應用在審
| 申請號： | 202111157326.1 | 申請日： | 2021-09-30 |
| 公開（公告）號： | CN113896926A | 公開（公告）日： | 2022-01-07 |
| 發明（設計）人： | 胡濤;劉國隆;金文斌 | 申請（專利權）人： | 浙江中科玖源新材料有限公司 |
| 主分類號： | C08J7/044 | 分類號： | C08J7/044;C09D187/00;C08G83/00;H01L51/52;H01L23/60;C08L79/08 |
| 代理公司： | 合肥金律專利代理事務所(普通合伙) 34184 | 代理人： | 楊霞 |
| 地址： | 321100 浙江省金華*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 抗靜電 聚酰亞胺 薄膜 及其 應用 | ||
1.一種抗靜電聚酰亞胺薄膜，其特征在于，包括：聚酰亞胺基底層和位于聚酰亞胺基底層上的抗靜電層；
所述聚酰亞胺基底層是由聚酰亞胺構成；所述抗靜電層是由接枝碳納米管的聚硅氧烷構成。
2.根據權利要求1所述的抗靜電聚酰亞胺薄膜，其特征在于，所述聚酰亞胺是將包括芳香族二胺、脂環族二酐和芳香族二酰氯的單體進行縮聚反應后得到；
優選地，所述芳香族二胺是2，2'-二(三氟甲基)二氨基聯苯、4，4'-二氨基二苯醚或4，4'-二氨基八氟聯苯中的至少一種；
優選地，所述脂環族二酐是1，2，3，4-環丁烷四羧酸二酐、1，2，4，5-環戊烷四羧酸二酐、雙環[2.2.1]庚-2，3，5，6-四羧酸二酐或雙環[2.2.2]庚-2，3，5，6-四羧酸二酐中的至少一種；
優選地，所述芳香族二酰氯是對苯二甲酰氯或間苯二甲酰氯中的至少一種。
3.根據權利要求2所述的抗靜電聚酰亞胺薄膜，其特征在于，所述芳香族二酰氯的用量是芳香族二胺的10-30mol％。
4.根據權利要求1-3任一項所述的抗靜電聚酰亞胺薄膜，其特征在于，所述單體還包括芳香族二酐；
優選地，所述芳香族二酐是4，4'-(六氟異丙烯)二酞酸酐、4，4'-氧雙鄰苯二甲酸酐、3，3'，4，4'-二苯甲酮四甲酸二酐或3，3'，4，4'-聯苯四羧酸二酐中的至少一種。
5.根據權利要求1-4任一項所述的抗靜電聚酰亞胺薄膜，其特征在于，所述接枝碳納米管的聚硅氧烷是將碳納米管與聚硅氧烷進行接枝反應后得到。
6.根據權利要求5所述的抗靜電聚酰亞胺薄膜，其特征在于，所述聚硅氧烷是將三烷氧基硅烷縮聚后得到；
優選地，所述三烷氧基硅烷是3-氯丙基三乙氧基硅烷、甲基三甲氧基硅烷、氨丙基三乙氧基硅烷或乙烯基三乙氧基硅烷中的至少一種。
7.根據權利要求5或6所述的抗靜電聚酰亞胺薄膜，其特征在于，所述碳納米管是酸活化后的碳納米管；
優選地，所述碳納米管的用量是聚硅氧烷的0.1-5wt％。
8.根據權利要求1-7任一項所述的抗靜電聚酰亞胺薄膜，其特征在于，所述聚酰亞胺基底層是將聚酰亞胺成膜后得到；
優選地，所述聚酰亞胺基底層的厚度為10-100μm。
9.根據權利要求1-8任一項所述的抗靜電聚酰亞胺薄膜，其特征在于，所述抗靜電層是將接枝碳納米管的聚硅氧烷在所述聚酰亞胺基底層上涂覆，成膜后得到；
優選地，所述抗靜電層的厚度為0.1-10μm。
10.一種權利要求1-9任一項所述的抗靜電聚酰亞胺薄膜在OLED顯示器中的應用。
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