[發明專利]一種自適應高可靠性HBT線性功率放大器有效
| 申請號: | 202111157286.0 | 申請日: | 2021-09-30 |
| 公開(公告)號: | CN113595518B | 公開(公告)日: | 2021-12-07 |
| 發明(設計)人: | 劉成鵬;姚靜石 | 申請(專利權)人: | 成都明夷電子科技有限公司 |
| 主分類號: | H03F1/52 | 分類號: | H03F1/52;H03F3/193;H03F3/21 |
| 代理公司: | 成都君合集專利代理事務所(普通合伙) 51228 | 代理人: | 尹新路 |
| 地址: | 610000 四川省成都*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 自適應 可靠性 hbt 線性 功率放大器 | ||
1.一種自適應高可靠性HBT線性功率放大器,用于正交頻分復用OFDM應用中進行功率放大,其特征在于,包括基礎HBT線性功率放大器單元、功率檢測及控制單元和模擬電源開關單元;
所述基礎HBT線性功率放大器單元包括驅動級放大器AMP1b、驅動級放大器AMP2b和末級放大器AMP3b;所述驅動級放大器AMP1b、驅動級放大器AMP2b和末級放大器AMP3b依次連接,所述驅動級放大器AMP1b的輸入端為用于輸入信號的信號輸入端IN1b;所述末級放大器AMP3b的輸出端為用于輸出信號的信號輸出端OUT1b;
所述模擬電源開關單元包括分別對應連接在驅動級放大器AMP1b、驅動級放大器AMP2b和末級放大器AMP3b的電源端的第一模擬電源開關器、第二模擬電源開關器和第三模擬電源開關器;
所述功率檢測及控制單元的檢測輸入端連接在所述信號輸入端IN1b上,功率檢測及控制單元的控制輸出端分別與所述第一模擬電源開關器的控制端、第二模擬電源開關器的控制端和第三模擬電源開關器的控制端連接。
2.如權利要求1所述的一種自適應高可靠性HBT線性功率放大器,其特征在于,所述功率檢測及控制單元包括耦合器Coupler1b、電阻R1b、電阻R2b、電阻R3b、電阻R4b、電阻R5b、電阻R6b、二極管D1b、電容C1b、運算放大器OPA1b;
所述電阻R3b的輸出端連接二極管D1b后通過二極管D1b的輸入端連接運算放大器OPA1b的反向輸入端;
所述電阻R1b連接數字電源VDD1b后連接在所述電阻R3b的輸入端,所述電阻R2b接地后搭接在所述電阻R1b、電阻R3b之間;
所述電容C1b接地后搭接在所述二極管D1b和運算放大器OPA1b的反向輸入端之間;
所述耦合器Coupler1b搭接在所述信號輸入端IN1b上后再搭接在所述電阻R3b和二極管D1b之間;
所述電阻R4b連接數字電源VDD2b后連接在所述運算放大器OPA1b的正向輸入端上,所述電阻R5b接地后連接在所述運算放大器OPA1b的正向輸入端上;
所述運算放大器OPA1b的輸出端分別與所述第一模擬電源開關器的控制端、第二模擬電源開關器的控制端和第三模擬電源開關器的控制端連接;所述電阻R6b接地后搭接在所述運算放大器OPA1b的輸出端上。
3.如權利要求2所述的一種自適應高可靠性HBT線性功率放大器,其特征在于,所述第一模擬電源開關器包括PHEMT晶體管M1b和電阻R7b;
所述PHEMT晶體管M1b的漏極連接模擬電源VCC1b,源極連接驅動級放大器AMP1b的電源端,柵極連接電阻R7b;
所述電阻R7b與運算放大器OPA1b的輸出端連接。
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