[發(fā)明專利]基于半導(dǎo)體集成電路的混合成像探測器芯片及制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202111157221.6 | 申請日： | 2021-09-30 |
| 公開（公告）號： | CN113594193B | 公開（公告）日： | 2022-01-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 劉偉;王鵬;郭得福;馬仁旺;段程鵬;歐秦偉 | 申請（專利權(quán)）人： | 西安中科立德紅外科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/146 | 分類號： | H01L27/146;G01J5/20;G01J1/42 |
| 代理公司： | 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205 | 代理人： | 孟秀娟;黃健 |
| 地址： | 710117 陜西省西安市高*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 基于 半導(dǎo)體 集成電路 混合 成像 探測器 芯片 制備 方法 | ||
本申請實施例提供一種基于半導(dǎo)體集成電路的混合成像探測器芯片及制備方法，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，該混合成像探測器芯片包括基底、反射層和微橋結(jié)構(gòu)，反射層包括相互絕緣且位于同一層的第一反射層和第二反射層；微橋結(jié)構(gòu)包括第一橋梁、第二橋梁和橋面，橋面的電極層包括相互絕緣設(shè)置的第一電極層和第二電極層。本申請實施例通過使第一電極層與第一反射層和第二反射層中之一連接，第二電極層與第一反射層和第二反射層中另一個連接，使得第一反射層與第一電極層或者第二電極層上電子均衡，第二反射層與第二電極層或者第一電極層上的電子均衡，防止反射層與電極層之間產(chǎn)生靜電吸附作用，進(jìn)而避免微橋結(jié)構(gòu)發(fā)生坍塌，提高了混合成像探測器芯片的良率。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請實施例涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種基于半導(dǎo)體集成電路的混合成像探測器芯片及制備方法。
背景技術(shù)
隨著工業(yè)和生活水平的發(fā)展，單純的紅外成像或者單純的可見光成像已不能滿足需求，具有更寬波段的成像技術(shù)越來越受到關(guān)注，特別是能同時對可見光和紅外光敏感的成像技術(shù)。
相關(guān)技術(shù)中，混合成像探測器芯片包括可見光探測結(jié)構(gòu)和紅外探測結(jié)構(gòu)，其中，紅外探測結(jié)構(gòu)通常包括基底、反射層、犧牲層以及微橋結(jié)構(gòu)，其中，反射層和犧牲層依次層疊設(shè)置在基底上，該微橋結(jié)構(gòu)通常包括橋梁和微橋橋面，橋梁位于犧牲層內(nèi)，微橋橋面設(shè)置在犧牲層上，且微橋橋面與反射層具有重疊區(qū)域，當(dāng)微橋橋面或者反射層產(chǎn)生電子的積累時，微橋表面與反射層之間會產(chǎn)生靜電效應(yīng)，會致使微橋結(jié)構(gòu)發(fā)生坍塌，降低混合成像探測器芯片的良率。
發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述問題，本申請實施例提供一種基于半導(dǎo)體集成電路的混合成像探測器芯片及制備方法，以解決相關(guān)技術(shù)中微橋結(jié)構(gòu)易發(fā)生坍塌的技術(shù)問題。
為了實現(xiàn)上述目的，本申請實施例提供如下技術(shù)方案：
本申請實施例的第一方面提供一種基于半導(dǎo)體集成電路的混合成像探測器芯片，包括：
基底，所述基底內(nèi)具有晶體管，所述晶體管包括柵極以及設(shè)置在所述柵極兩側(cè)的源極和漏極；
反射層，所述反射層設(shè)置在所述基底上，所述反射層包括相互絕緣且位于同一層的第一反射層和第二反射層；
位于所述反射層上方的微橋結(jié)構(gòu)，所述微橋結(jié)構(gòu)包括第一橋梁、第二橋梁以及連接所述第一橋梁和所述第二橋梁的橋面，所述橋面的電極層包括相互絕緣設(shè)置的第一電極層和第二電極層，所述第一電極層通過所述第二橋梁與所述第一反射層和所述第二反射層中其中一個連接，所述第二電極層通過所述第一橋梁與所述第一反射層和所述第二反射層中另一個連接；
位于所述微橋結(jié)構(gòu)上方的可見光探測結(jié)構(gòu)，所述可見光探測結(jié)構(gòu)包括多個第一半導(dǎo)體層和多個第二半導(dǎo)體層，多個所述第一半導(dǎo)體層和多個所述第二半導(dǎo)體層沿垂直于所述基底方向依次層疊交替設(shè)置，其中，多個所述第一半導(dǎo)體層的一端連接在一起，并通過所述第一橋梁與所述源極連接，多個所述第二半導(dǎo)體層的一端連接起來，并通過所述第二橋梁接地。
如上所述的基于半導(dǎo)體集成電路的混合成像探測器芯片，其中，所述第一反射層包括第一反射段和第二反射段，所述第一反射段沿第一方向延伸，所述第二反射段設(shè)置在所述第一反射段的一側(cè)；
所述第二反射層包括第三反射段和第四反射段，所述第三反射段沿所述第一方向延伸，沿第二方向，所述第三反射段與所述第一反射段之間具有間距，所述第四反射段設(shè)置在所述第三反射段的一側(cè)，其中，所述第一方向和所述第二方向相互垂直；
所述第二反射段背離所述第一反射段的端部朝向所述第三反射段，并與所述第三反射段之間具有間隔，所述第四反射段背離所述第三反射段的端部朝向所述第一反射段，并與所述第一反射段之間具有間隔。
如上所述的基于半導(dǎo)體集成電路的混合成像探測器芯片，其中，所述第二反射段的個數(shù)為多個，多個所述第二反射段沿所述第一方向間隔設(shè)置在所述第一反射段的一側(cè)；
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的；包括有熱磁組件的
