[發明專利]一種多線切割后的碳化硅晶片清洗方法在審
| 申請號： | 202111157025.9 | 申請日： | 2021-09-30 |
| 公開（公告）號： | CN113857140A | 公開（公告）日： | 2021-12-31 |
| 發明（設計）人： | 王升;陳輝;李有群;賀賢漢 | 申請（專利權）人： | 安徽微芯長江半導體材料有限公司 |
| 主分類號： | B08B3/08 | 分類號： | B08B3/08;B08B3/10;B08B3/12;B08B3/04 |
| 代理公司： | 銅陵市天成專利事務所(普通合伙) 34105 | 代理人： | 李坤 |
| 地址： | 244000 安*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 切割 碳化硅 晶片 清洗 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種多線切割后的碳化硅晶片清洗方法，其特征是：多線切割后的碳化硅晶片依次經過如下工藝步驟：
S1，清洗前預處理：酸液浸泡碳化硅晶片，酸液為體積濃度為2～6%鹽酸溶液，浸泡時間為30～60min；
S2，一號QDR槽鼓泡及快排，所述的鼓泡氣源為壓縮空氣，壓縮空氣壓力為0.1～0.6Mpa，鼓泡時間60～120S，使用中水，溫度20～50℃，快排1～3次；
S3，二號槽市水超聲清洗，超聲頻率28Hz，超聲時間10～20min，水溫20～50℃；
S4，三號槽藥液超聲清洗，超聲頻率28Hz，超聲時間10～20min，藥液溫度50～80℃；
S5，四號槽藥液超聲清洗，超聲頻率40Hz，超聲時間10～20min，藥液溫度50～80℃，其中的藥液為質量百分濃度為0.5%-3%的NaOH溶液；
S6，五號槽市水超聲溢流漂洗，超聲頻率40Hz，超聲時間3～5min，水溫20～50℃, 溢流速度3～10升／min；
S7，六號槽熱風干燥。
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