[發明專利]存儲器結構以及形成存儲器結構的方法

在審

• 申請號: 202111156738.3
• 申請日: 2021-09-30
• 公開（公告）號: CN114447109A
• 公開（公告）日: 2022-05-06
• 發明（設計）人: 蔡新樹;孫永順;王藍翔;卓榮發;陳學深
• 申請（專利權）人: 格芯新加坡私人有限公司
• 主分類號: H01L29/423
• 分類號: H01L29/423;H01L27/11524;H01L21/28
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 賀月嬌;牛南輝

1.一種存儲器結構，包括；

襯底；

布置在所述襯底內的第一阱區、第二阱區和第三阱區，其中所述第一阱區和所述第三阱區具有第一導電類型，所述第二阱區具有不同于所述第一導電類型的第二導電類型，并且其中所述第二阱區橫向布置在所述第一阱區與所述第三阱區之間；

布置在所述第二阱區上方的第一柵極結構，其中所述第一柵極結構在所述第三阱區上方延伸；以及

布置在所述第二阱區上方的第二柵極結構，其中所述第二柵極結構在所述第一阱區上方延伸。

2.根據權利要求1所述的存儲器結構，

其中所述第一阱區、所述第二阱區和所述第三阱區沿第一方向彼此橫向相鄰地布置；以及

其中所述第一柵極結構和所述第二柵極結構在所述第二阱區上方沿基本垂直于所述第一方向的第二方向彼此橫向相鄰地布置。

3.根據權利要求2所述的存儲器結構，還包括在所述第二阱區內沿所述第二方向彼此橫向相鄰地布置的第一導電區、第二導電區和第三導電區。

4.根據權利要求3所述的存儲器結構，其中所述第一導電區、所述第二導電區和所述第三導電區具有所述第一導電類型。

5.根據權利要求3所述的存儲器結構，其中所述第一導電區、所述第二導電區和所述第三導電區中的每一者的摻雜濃度高于所述第二阱區的摻雜濃度。

6.根據權利要求3所述的存儲器結構，

其中所述第二導電區布置在所述第一導電區與所述第三導電區之間；以及

其中所述第一柵極結構橫向布置在所述第一導電區與所述第二導電區之間，并且其中所述第二柵極結構橫向布置在所述第二導電區與所述第三導電區之間。

7.根據權利要求3所述的存儲器結構，還包括：

布置在所述第一導電區上方并與所述第一導電區電耦合的第一連接器；以及

布置在所述第三導電區上方并與所述第三導電區電耦合的第二連接器。

8.根據權利要求3所述的存儲器結構，還包括布置在所述第一阱區內并至少部分地位于所述第二柵極結構下方的第一附加導電區。

9.根據權利要求8所述的存儲器結構，其中所述第一附加導電區具有所述第一導電類型，并且所述第一附加導電區的摻雜濃度高于所述第一阱區的摻雜濃度。

10.根據權利要求8所述的存儲器結構，還包括布置在所述第三阱區內并至少部分地位于所述第一柵極結構下方的第二附加導電區。

11.根據權利要求1所述的存儲器結構，還包括：

布置在所述第一阱區與所述第二阱區之間的第一隔離元件；以及

布置在所述第二阱區與所述第三阱區之間的第二隔離元件。

12.根據權利要求11所述的存儲器結構，其中所述第一柵極結構部分地布置在所述第一隔離元件上方。

13.根據權利要求11所述的存儲器結構，其中所述第二柵極結構部分地布置在所述第二隔離元件上方。

14.根據權利要求1所述的存儲器結構，還包括：

布置在所述襯底內的第四阱區和第五阱區，其中所述第五阱區具有所述第一導電類型，所述第四阱區具有所述第二導電類型，并且其中所述第四阱區橫向布置在所述第三阱區與所述第五阱區之間；

布置在所述第四阱區上方的第三柵極結構，其中所述第三柵極結構在所述第五阱區上方延伸；以及

布置在所述第四阱區上方的第四柵極結構，其中所述第四柵極結構在所述第三阱區上方延伸。