[發(fā)明專利]一種基于分立的耗盡型GaN器件的快充電路在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202111156495.3 | 申請日： | 2021-09-30 |
| 公開（公告）號： | CN114070081A | 公開（公告）日： | 2022-02-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 宋亮;朱廷剛;范劍平;李亦衡 | 申請（專利權(quán)）人： | 江蘇能華微電子科技發(fā)展有限公司 |
| 主分類號： | H02M3/335 | 分類號： | H02M3/335;H02J7/10 |
| 代理公司： | 北京高沃律師事務(wù)所 11569 | 代理人： | 韓雪梅 |
| 地址： | 215600 江蘇省蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 基于 分立 耗盡 gan 器件 充電 | ||
1.一種基于分立的耗盡型GaN器件的快充電路，其特征在于，包括：交流電源、整流橋、輸入電解電容、變壓器、吸收電路、輸出整流管、輸出電容、負(fù)載、GaN HEMT管和低壓silicon管；
所述交流電源與所述整流橋連接；所述整流橋與所述輸入電解電容并聯(lián)連接；所述輸入電解電容的一端與所述吸收電路的一端連接，所述輸入電解電容的另一端與所述低壓silicon管的源極連接；所述低壓silicon管的漏極與所述連接GaN HEMT管的源極連接；所述GaN HEMT管的漏極與所述吸收電路的另一端連接；所述變壓器原邊與所述吸收電路連接；所述變壓器副邊的一端與所述輸出電容的一端連接，所述變壓器副邊的另一端與所述輸出整流管的漏極連接；所述輸出電容的另一端與所述輸出整流管的源極連接；所述負(fù)載與所述輸出電容并聯(lián)連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于分立的耗盡型GaN器件的快充電路，其特征在于，所述GaNHEMT管的柵極和源極之間還連接有補(bǔ)償電容。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于分立的耗盡型GaN器件的快充電路，其特征在于，所述整流橋包括第一二極管、第二二極管、第三二極管和第四二極管；所述第一二極管的輸入端與所述交流電源的輸出端連接，所述第一二極管的輸出端與所述第二二極管的輸出端連接；所述第二二極管的輸入端分別與所述交流電源的輸出端以及第四二極管的輸出端連接；所述第四二極管的輸入端與所述第三二極管的輸入端連接，所述第三二極管的輸出端與所述第一二極管的輸入端連接；所述第二二極管的輸出端與所述輸入電解電容的一端連接；所述第四二極管的輸入端與所述輸入電解電容的另一端連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于分立的耗盡型GaN器件的快充電路，其特征在于，所述吸收電路包括吸收電容、吸收電阻和第五二極管；所述吸收電容的一端分別與所述輸入電解電容的一端以及所述吸收電阻的一端連接；所述第五二極管的輸出端分別與所述吸收電容的另一端以及所述吸收電阻的另一端連接；所述第五二極管的輸入端分別與所述變壓器原邊的一端以及所述GaN HEMT管的漏極連接；所述變壓器原邊的另一端和所述吸收電阻的一端之間連接有電感。
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H02M3-02 .沒有中間變換為交流的
H02M3-22 .帶有中間變換為交流的
H02M3-24 ..用靜態(tài)變換器的
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H02M3-44 ..由靜態(tài)變換器與動態(tài)變換器組合的；由機(jī)電變換器與另一動態(tài)變換器或靜態(tài)變換器組合的
