[發明專利]陣列基板、顯示面板及面板壞點修復方法有效
| 申請號: | 202111155838.4 | 申請日: | 2021-09-28 |
| 公開(公告)號: | CN114005855B | 公開(公告)日: | 2022-07-22 |
| 發明(設計)人: | 李源規;崔昇圭;鄔可榮;宋一男;金海源;唐波玲;袁海江 | 申請(專利權)人: | 惠科股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L21/66 |
| 代理公司: | 深圳市世紀恒程知識產權代理事務所 44287 | 代理人: | 晏波 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市寶安區石巖街道石龍社區*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列 顯示 面板 修復 方法 | ||
1.一種陣列基板,包括襯底基板和設于所述襯底基板上的多個數據線以及多個掃描線,多個所述數據線和多個所述掃描線絕緣交叉設置以限定出若干陣列設置的子像素區域,每一所述子像素區域中設有一子像素,其特征在于,所述子像素包括:
多個像素電極,多個所述像素電極同層且間隔設置以形成多個發光區,相鄰的兩所述像素電極之間通過連接電極電連接;和
像素驅動電路,所述像素驅動電路分別與所述數據線、掃描線以及每一所述像素電極電連接;
所述陣列基板還包括設于所述像素驅動電路與所述像素電極之間的平坦層,所述連接電極與所述像素電極均設于所述平坦層的背離所述像素驅動電路的一側,所述平坦層設有多個過孔,每一所述像素電極穿過一所述過孔與對應的所述像素驅動電路接觸;
所述陣列基板還包括依次層疊于所述平坦層的背離所述像素驅動電路的一側的像素界定層、發光層以及陰極,所述像素界定層設于所述平坦層,并覆蓋所述連接電極和所述像素電極,所述像素界定層開設有多個開口,每一所述開口朝向一所述像素電極設置,所述發光層分別凹設于多個所述開口與對應的所述像素電極接觸,所述陰極凹設于多個所述開口與所述發光層接觸,以形成多個所述發光區;所述像素驅動電路于所述像素界定層的正投影位于多個所述發光區外;
所述陣列基板還包括設于所述襯底基板上的電源線,所述像素驅動電路包括:
驅動晶體管,所述驅動晶體管的源極分別與多個所述像素電極連接,所述驅動晶體管的漏極與所述電源線連接;
開關晶體管,所述開關晶體管的漏極與所述數據線連接,所述開關晶體管的柵極與所述掃描線連接;以及
存儲電容,所述存儲電容包括相對設置的第一電極和第二電極,所述驅動晶體管的柵極和所述開關晶體管的源極均與所述第一電極連接,所述第二電極和所述驅動晶體管的漏極均與所述電源線連接;
所述陣列基板包括自下而上層疊設置于所述襯底基板的有源層、柵絕緣層、第一金屬層、層間介電層以及第二金屬層;
所述有源層形成有所述驅動晶體管的有源層圖案以及所述開關晶體管的有源層圖案,所述第一金屬層形成有所述驅動晶體管的柵極、所述開關晶體管的柵極以及所述第一電極,所述第二金屬層形成有所述驅動晶體管的源極和漏極、所述開關晶體管的源極和漏極、所述電源線以及所述第二電極,所述驅動晶體管的源極和漏極分別穿設于所述層間介電層與所述驅動晶體管的有源層圖案接觸,所述開關晶體管的源極和漏極分別穿設于所述層間介電層與所述開關晶體管的有源層圖案接觸。
2.如權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述連接電極的厚度小于所述像素電極的厚度。
3.如權利要求2所述的陣列基板,其特征在于,所述連接電極于所述平坦層的表面呈多次彎折結構。
4.一種顯示面板,其特征在于,包括如權利要求1至3任意一項所述的陣列基板,所述陣列基板的子像素為紅色子像素、綠色子像素、藍色子像素或白色子像素。
5.一種面板壞點修復方法,應用于如權利要求1至3任意一項中所述的陣列基板或權利要求4所述的顯示面板,其特征在于,所述面板壞點修復方法包括如下步驟:
確定壞點發光區的位置;
切斷壞點發光區對應的像素電極與像素驅動電路之間的連接;
以及,切斷壞點發光區對應的像素電極與相鄰的像素電極之間的連接電極。
6.如權利要求5所述的面板壞點修復方法,其特征在于,所述切斷壞點發光區對應的像素電極與相鄰的像素電極之間的連接電極的步驟包括:
采用激光切斷壞點發光區對應的像素電極與像素電極之間的連接電極;
或,在壞點發光區對應的像素電極與相鄰的像素電極之間施加預設電流,以熔斷壞點發光區對應的像素電極與相鄰的像素電極之間的連接電極。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





