[發(fā)明專利]一種晶硅BIPV建筑構(gòu)件及其制造方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202111155484.3 | 申請(qǐng)日: | 2021-09-29 |
| 公開(公告)號(hào): | CN114171616A | 公開(公告)日: | 2022-03-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 魏青竹;姬明良;蔣建彗;王春智;徐堅(jiān);何招華;汪獻(xiàn)利 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 永臻科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L31/048 | 分類號(hào): | H01L31/048;H01L31/18;H02S20/26 |
| 代理公司: | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 任曉婷 |
| 地址: | 213000 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 bipv 建筑 構(gòu)件 及其 制造 方法 | ||
本發(fā)明提供一種晶硅BIPV建筑構(gòu)件,由朝陽的一面從外至內(nèi)依次包括外板玻璃、至少一層第一透明PVB層、晶硅發(fā)電單元、第三PVB層以及內(nèi)板玻璃;所述外板玻璃和所述內(nèi)板玻璃符合建筑規(guī)范要求,所述第一透明PVB層的電阻率符合所述晶硅BIPV建筑構(gòu)件的PID衰減要求。本發(fā)明還提供一種晶硅BIPV建筑構(gòu)件的制造方法,用于制造所述晶硅BIPV建筑構(gòu)件。所述晶硅BIPV建筑構(gòu)件可安裝的位置更多,適用性更強(qiáng);所述晶硅BIPV建筑構(gòu)件能夠設(shè)計(jì)為多種顏色,可匹配多種不同的建筑風(fēng)格,美觀性更好;所述晶硅BIPV建筑構(gòu)件可靠性更好,使用壽命更長;所述晶硅BIPV建筑構(gòu)件發(fā)電量較高。所述晶硅BIPV建筑構(gòu)件的制造方法高效快捷。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及光伏建筑相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域,更準(zhǔn)確的說涉及一種晶硅BIPV建筑 構(gòu)件及其制造方法。
背景技術(shù)
為了推動(dòng)建筑節(jié)能減排,現(xiàn)有技術(shù)主要從兩方面著手:一方面通 過提升材料效率,推廣使用低碳材料、高效隔熱建筑圍護(hù)結(jié)構(gòu)等進(jìn)行 “被動(dòng)式”減排;另一方面大力推廣屋頂分布式光伏電站,充分利用 屋頂面積進(jìn)行減排。
但是,被動(dòng)式建筑存在一些缺點(diǎn):首先,被動(dòng)式建筑需要增加外墻保溫 層的厚度,增加建筑面積,降低得房率;被動(dòng)式建筑在不同氣候條件下需要 進(jìn)行調(diào)整,針對(duì)不同類型的建筑也需要進(jìn)行調(diào)整,適用性較差;此外,被動(dòng) 式建筑降低能耗有限,缺少提升空間,同時(shí)整體成本較高。
屋頂分布式光伏電站也存在一些缺點(diǎn):屋頂面積有限,且需要安裝其他 設(shè)施,導(dǎo)致安裝光伏設(shè)置的可用面積較小,尤其對(duì)于高層建筑,節(jié)能減排效 果有限;此外,屋頂分布式光伏電站與建筑的一致性較差,影響整體美觀性。
光伏建筑一體化(BIPV)作為建筑和光伏的結(jié)合點(diǎn),可以解決現(xiàn)有被動(dòng)式 建筑和屋頂分布光伏電站的問題,有著廣闊的發(fā)展前景。綜上,本領(lǐng)域需要 一種應(yīng)用場景較廣、美觀度較高且發(fā)電性能較高的BIPV建筑部件。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此,本發(fā)明的目的在于提供一種晶硅BIPV建筑構(gòu)件,依照建筑行 業(yè)要求設(shè)計(jì),結(jié)合晶硅發(fā)電結(jié)構(gòu),以適用于建筑光伏發(fā)電。
本發(fā)明的另一個(gè)目的在于提供一種晶硅BIPV建筑構(gòu)件的制造方法,用于 制造所述晶硅BIPV建筑構(gòu)件。
為了達(dá)到上述目的,本發(fā)明提供一種晶硅BIPV建筑構(gòu)件,由朝陽的一面 從外至內(nèi)依次包括外板玻璃、至少一層第一透明PVB層、晶硅發(fā)電單元、第 三PVB層以及內(nèi)板玻璃;所述外板玻璃和所述內(nèi)板玻璃符合建筑規(guī)范要求, 所述第一透明PVB層的電阻率符合所述晶硅BIPV建筑構(gòu)件的PID衰減要求。
優(yōu)選地,包括至少一層第二透明PVB層,所述第二透明PVB層位于所述 晶硅發(fā)電單元和所述第三PVB層之間,且所述第二透明PVB層的電阻率符合 所述晶硅BIPV建筑構(gòu)件的PID衰減要求。
優(yōu)選地,所述第三PVB層與所述晶硅發(fā)電單元的顏色一致。
優(yōu)選地,所述晶硅發(fā)電單元由若干晶硅電池片組成,晶硅發(fā)電單元具有 可視銅帶,可視銅帶表面與晶硅電池片的顏色一致。
本發(fā)明提供一種晶硅BIPV建筑構(gòu)件的制造方法,用于所述晶硅BIPV建 筑構(gòu)件,包括步驟:
(A)選取滿足建筑要求的玻璃作為外板玻璃和內(nèi)板玻璃;
(B)選取滿足構(gòu)件PID衰減要求的第一透明PVB層;
(C)制備晶硅發(fā)電單元;
(D)根據(jù)晶硅發(fā)電單元的顏色選擇顏色一致的第三PVB層;
(E)將外板玻璃、至少一層第一透明PVB層、晶硅發(fā)電單元、第三PVB 層以及內(nèi)板玻璃封裝壓層,并對(duì)晶硅發(fā)電單元進(jìn)行接線盒安裝,光伏硅膠密 封處理。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





