[發明專利]碳化硅MOS管驅動電路

在審

• 申請號: 202111154716.3
• 申請日: 2021-09-29
• 公開（公告）號: CN113904669A
• 公開（公告）日: 2022-01-07
• 發明（設計）人: 張恒;梁紅光;何承曾
• 申請（專利權）人: 蘇州偉創電氣科技股份有限公司
• 主分類號: H03K17/081
• 分類號: H03K17/081;H03K17/687
• 代理公司: 深圳智匯遠見知識產權代理有限公司 44481
• 代理人: 蔣學超

1.一種碳化硅MOS管驅動電路，其特征在于，所述碳化硅MOS管驅動電路包括：變壓器、至少一個驅動控制電路，以及與所述至少一個驅動控制電路中的各驅動控制電路連接的碳化硅MOS管；

其中，所述變壓器包括原邊線圈和與所述驅動控制電路數量對應的副邊線圈；所述原邊線圈用于接收輸入信號，每個所述副邊線圈與一個所述驅動控制電路連接，所述驅動控制電路用于根據所述副邊線圈提供的驅動信號驅動所述碳化硅MOS管導通或者關斷，所述驅動信號和所述輸入信號之間的電壓的比值等于所述副邊線圈和所述原邊線圈之間的匝數的比值。

2.根據權利要求1所述的碳化硅MOS管驅動電路，其特征在于，所述驅動控制電路包括第一二極管、第二二極管、第一三極管、第一電阻、第二電阻、第三電阻和第一電容；

其中，所述第一電阻的第一端與所述副邊線圈的第一端連接，所述第一電阻的第二端分別與所述第一二極管的陽極和所述第二二極管的陽極連接，所述第一二極管的陰極分別與所述第一三極管的發射極和所述第二電阻的第一端連接，所述第二二極管的陰極與所述第一三極管的基極連接，所述第二電阻的第二端分別與所述第三電阻的第一端、所述第一電容的第一端和所述碳化硅MOS管的柵極連接，所述第三電阻的第二端、所述第一電容的第二端、所述第一三極管的集電極、所述碳化硅MOS管的源極均與所述副邊線圈的第二端連接。

3.根據權利要求2所述的碳化硅MOS管驅動電路，其特征在于，所述驅動控制電路還包括第一穩壓管和第二穩壓管；

其中，所示第一穩壓管的陰極與所述碳化硅MOS管的柵極連接，所述第一穩壓管的陽極與所述第二穩壓管的陽極連接，所述第二穩壓管的陰極與所述碳化硅MOS管的源極連接。

4.根據權利要求2所述的碳化硅MOS管驅動電路，其特征在于，所述驅動控制電路還包括第四電阻；

其中，所述第四電阻的第一端與所述第一三極管的基極連接，所述第四電阻的第二端與所述碳化硅MOS管的源極連接。

5.根據權利要求4所述的碳化硅MOS管驅動電路，其特征在于，所述驅動控制電路還包括并聯設置的第五電阻、第六電阻和第二電容；

其中，所述第五電阻的第一端、所述第六電阻的第一端和所述第二電容的第一端分別與所述第一電阻的第二端連接，所述第五電阻的第二端、所述第六電阻的第二端和所述第二電容的第二端分別與所述第四電阻的第一端的連接；

所述第四電阻的電阻值大于所述第五電阻、所述第六電阻和所述第一電阻的電阻值之和。

6.根據權利要求2所述的碳化硅MOS管驅動電路，其特征在于，所述驅動控制電路還包括第七電阻；

其中，所述第七電阻的第一端與所述第一三極管的集電極連接，所述第七電阻的第二端與所述副邊線圈的第二端連接。

7.根據權利要求2所述的碳化硅MOS管驅動電路，其特征在于，所述驅動控制電路還包括第三穩壓管和第三電容；

其中，所述第三穩壓管的陽極和所述第三電容的第一端均與所述第一三極管的集電極連接，所述第三穩壓管的陰極和所述第三電容的第二端均與所述副邊線圈的第二端連接。

8.根據權利要求2所述的碳化硅MOS管驅動電路，其特征在于，所述第一電阻和所述第二電阻為可變電阻，所述第三電阻的電阻值大于所述第一電阻與所述第二電阻的電阻值之和。

9.根據權利要求1所述的碳化硅MOS管驅動電路，其特征在于，所述驅動控制電路的數量為兩個，與兩個所述驅動控制電路連接的兩個所述副邊線圈中的電流方向相反，且兩個所述副邊線圈的匝數與所述原邊線圈的匝數的比值為1:1。

10.根據權利要求1所述的碳化硅MOS管驅動電路，其特征在于，所述碳化硅MOS管驅動電路還包括第四電容和第五電容；

其中，所述第四電容和所述第五電容分別設置在所述原邊線圈的兩端。