[發(fā)明專利]相變存儲(chǔ)器及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202111154527.6
• 申請日: 2021-09-29
• 公開（公告）號(hào): CN113871529A
• 公開（公告）日: 2021-12-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 雅典波羅;鞠韶復(fù);劉峻;楊紅心;楊艷娟
• 申請（專利權(quán)）人: 長江先進(jìn)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): H01L45/00
• 分類號(hào): H01L45/00;H01L27/24
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 田婷

1.一種相變存儲(chǔ)器，其特征在于，包括：

相變存儲(chǔ)單元，所述相變存儲(chǔ)單元具有沿第一方向依次堆疊的第一導(dǎo)電層、選通層、第一電極層、相變材料層、第二電極層和第二導(dǎo)電層；其中，所述第一電極層和所述第二電極層均為氮化鈦/碳雙層電極結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相變存儲(chǔ)器，其特征在于，所述相變存儲(chǔ)單元還包括第三電極層，所述第三電極層設(shè)置在所述第一導(dǎo)電層和所述選通層之間，且所述第三電極層為氮化鈦/碳雙層電極結(jié)構(gòu)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的相變存儲(chǔ)器，其特征在于，所述第一電極層和所述第二電極層中的氮化鈦層與所述相變材料層接觸；所述第三電極層中的氮化鈦層與所述選通層接觸。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的相變存儲(chǔ)器，其特征在于，所述相變存儲(chǔ)單元還包括第四電極層：所述第四電極層設(shè)置在所述選通層和所述第一電極層之間，所述第四電極層為氮化鈦層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相變存儲(chǔ)器，其特征在于，所述第一導(dǎo)電層沿第二方向延伸，所述第二導(dǎo)電層沿第三方向延伸，所述第一方向、第二方向、第三方向兩兩正交。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的相變存儲(chǔ)器，其特征在于，所述相變存儲(chǔ)器還包括沿第二方向延伸的第一隔離結(jié)構(gòu)和/或沿第三方向延伸的第二隔離結(jié)構(gòu)，所述第一隔離結(jié)構(gòu)用于電隔離所述相變存儲(chǔ)器中沿第三方向并列設(shè)置的相鄰兩個(gè)所述相變存儲(chǔ)單元；所述第二隔離結(jié)構(gòu)用于電隔離所述相變存儲(chǔ)器中沿第二方向并列設(shè)置的相鄰兩個(gè)所述相變存儲(chǔ)單元。

7.一種如權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的相變存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于，包括：

沿第一方向在襯底上依次堆疊形成第一導(dǎo)電層、選通層、第一電極層、相變材料層、第二電極層和第二導(dǎo)電層；其中，所述第一電極層和所述第二電極層均采用氮化鈦/碳雙層電極結(jié)構(gòu)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的相變存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于，在形成所述第一導(dǎo)電層之后，形成所述選通層之前還包括：在所述第一導(dǎo)電層上形成第三電極層，且所述第三電極層為氮化鈦/碳雙層電極結(jié)構(gòu)，所述第三電極層的氮化鈦層與所述選通層接觸。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的相變存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于，在形成所述選通層之后，形成所述第一電極層之前還包括：在所述第三導(dǎo)電層上形成第四電極層，且所述第四電極層為氮化鈦層。

10.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的相變存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于，通過化學(xué)氣相沉積工藝或原子層沉積工藝或者濺射沉積工藝，形成氮化鈦/碳雙層電極結(jié)構(gòu)。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的相變存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于，所述氮化鈦/碳雙層電極結(jié)構(gòu)的形成工藝的溫度范圍為25℃-300℃。