[發明專利]一種電離輻射總劑量和電磁輻射協和效應測試方法及平臺

在審

• 申請號: 202111153881.7
• 申請日: 2021-09-29
• 公開（公告）號: CN113945833A
• 公開（公告）日: 2022-01-18
• 發明（設計）人: 孟萃;吳平;郭旗;文林
• 申請（專利權）人: 清華大學;中國科學院新疆理化技術研究所
• 主分類號: G01R31/317
• 分類號: G01R31/317;G01R31/3181
• 代理公司: 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262
• 代理人: 蔣冬梅;栗若木

1.一種電離輻射總劑量和電磁輻射協和效應測試方法，其特征在于，包括：

獲取累積了不同電離輻射總劑量的模數轉化器ADC芯片樣本組；

對累積了不同電離輻射總劑量的ADC芯片樣本組進行電磁輻射試驗，以獲取所述ADC芯片樣本組中的每個ADC芯片樣本出現電磁輻射協和效應的閾值數據；

根據獲取的所述閾值數據擬合ADC芯片的電離電磁輻射協和效應閾值隨電離輻射總劑量的累積而產生的變化趨勢。

2.根據權利要求1所述的電離輻射總劑量和電磁輻射協和效應測試方法，其特征在于，所述獲取累積了不同電離輻射總劑量的ADC芯片樣本組，包括：

進行電離輻射預實驗，確定被測ADC芯片不會失效的電離輻射總劑量上限；

進行電離輻射正式試驗，制作累積有不同電離輻射總劑量的ADC芯片樣本組，其中，每個ADC芯片樣本組的電離輻射總劑量小于所述電離輻射總劑量上限。

3.根據權利要求2所述的電離輻射總劑量和電磁輻射協和效應測試方法，其特征在于，所述確定被測ADC芯片不會失效的電離輻射總劑量上限，包括：

選取ADC芯片樣本；對所述ADC芯片樣本進行電離輻射實驗，以獲取初始的電離輻射劑量；

在所述初始的電離輻射劑量的基礎上對所述ADC芯片樣本進行一次或多次電離輻射實驗，直至所述ADC芯片樣本上累加的電離輻射總劑量使所述ADC芯片出現預設效應，停止所述電離輻射實驗，并將累加的電離輻射總劑量作為所述電離輻射劑量上限。

4.根據權利要求2所述的電離輻射總劑量和電磁輻射協和效應測試方法，其特征在于，所述進行電離輻射正式試驗，制作累積有不同電離輻射總劑量的ADC芯片樣本組，包括：根據以下步驟完成每個累計有預設的電離輻射總劑量的ADC芯片樣本制作：

將被測ADC芯片安裝至預設的電離輻射測試板上；

根據確定出的當前電離輻射試驗的偏置需求，將所述電離輻射測試板上的管腳進行相應地連接；

根據測試需要的電離輻射總劑量，計算所述電離輻射測試板與預設輻射源的距離以及輻射時長；

根據所述距離放置所述電離輻射測試板，并根據所述輻射時長采用所述輻射源對所述電離輻射測試板上的ADC芯片進行相應時長的輻照。

5.根據權利要求1所述的電離輻射總劑量和電磁輻射協和效應測試方法，其特征在于，所述對累積了不同電離輻射總劑量的ADC芯片樣本組進行電磁輻射試驗，包括：對累積了不同電離輻射總劑量的ADC芯片樣本組中的每組ADC芯片樣本分別按照以下步驟進行電磁輻射試驗，以獲取每組ADC芯片樣本在該電磁環境下的數字信號輸出數據：

將所述ADC芯片樣本安裝至預設的電磁輻射測試電路板的芯片座上，并將所述電磁輻射測試電路板安裝至預設的橫電磁波TEM小室上，并使用TEM小室上的卡扣對電路板邊緣進行壓接；

當測試瞬態電磁脈沖抗擾度時，將所述TEM小室的輸入端連接預設的高壓脈沖源，為所述ADC芯片樣本提供電磁脈沖測試環境；當測試高功率微波或者調諧正弦波抗擾度時，將所述TEM小室的輸入端連接預設的射頻信號發生器，為所述ADC芯片樣本提供高功率微波或調諧正弦波測試環境；其中,所述高功率微波是指發射功率大于10kW且頻率范圍滿足0.1GHz～300GHz的微波；

將預設的射頻信號發生器連接至所述電磁輻射測試電路板，為所述ADC芯片樣本提供模擬輸入信號；將預設的現場可編程門陣列FPGA開發板連接至所述電磁輻射測試電路板，為所述ADC芯片樣本提供電源、時鐘及使能信號，驅動所述ADC芯片樣本進入模擬數據采集和數字信號輸出工作狀態；

由低至高調節所述TEM小室接入的電壓幅值，以改變所述TEM小室中的電場；并在每個電場環境下獲取所述ADC芯片樣本出現電磁輻射協和效應的閾值數據。