[發明專利]一種三明治結構的聚酰亞胺基電磁屏蔽薄膜及其制備方法

有效

• 申請號: 202111153811.1
• 申請日: 2021-09-29
• 公開（公告）號: CN113913952B
• 公開（公告）日: 2023-04-14
• 發明（設計）人: 吳俊濤;張珊;楊洲;王廣勝
• 申請（專利權）人: 北京航空航天大學
• 主分類號: D01D5/00
• 分類號: D01D5/00;D04H1/728;B05D7/24;D04H1/44
• 代理公司: 北京慕達星云知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 11465
• 代理人: 符繼超;姜海榮

1.一種三明治結構的聚酰亞胺基電磁屏蔽薄膜的制備方法，其特征在于，所述三明治結構的聚酰亞胺基電磁屏蔽薄膜，包括外層和中間層；所述外層為銀納米線-聚酰亞胺的復合纖維，所述中間層為MXene薄層；

其包括以下步驟：

（1）將可溶PI溶解于含有AgNW的DMF中，經靜電紡絲得到AgNW-PI納米纖維膜，其紡絲速度為0.3-0.5ml/h，紡絲電壓為14-20kV，距離為10-15cm，空氣濕度40%，紡絲時間為4-6h；

所述AgNW在DMF溶劑中的質量濃度范圍?為0.5wt%-2wt%，AgNW和PI的質量比為1:10-1:100；

（2）將MXene溶液噴涂在AgNW-PI纖維表層，真空干燥后得到AgNW-PI/MXene雙層復合膜；

（3）以AgNW-PI/MXene雙層復合膜為基底，在MXene導電層上部再次靜電紡絲一層AgNW-PI纖維，其紡絲速度為0.3-0.5ml/h，紡絲電壓為14-20kV，距離為10-15cm，空氣濕度40%，紡絲時間為4-6h，得到三明治結構的AgNW-PI/MXene/AgNW-PI三層復合纖維膜；

（4）通過熱壓工藝將AgNW-PI/MXene/AgNW-PI三層纖維膜熱壓成復合薄膜，熱壓溫度為100℃-200℃，熱壓壓力為1-3MPa，熱壓時間為1-10min，即為三明治結構的聚酰亞胺基電磁屏蔽薄膜。

2.根據權利要求1所述一種三明治結構的聚酰亞胺基電磁屏蔽薄膜的制備方法，其特征在于，所述可溶PI具有如下結構：

。

3.根據權利要求2所述一種三明治結構的聚酰亞胺基電磁屏蔽薄膜的制備方法，其特征在于，R₁由以下結構中的一種或多種組成:

、、或；

R₂由以下結構中的一種或多種組成:

、

或。

4.根據權利要求1所述一種三明治結構的聚酰亞胺基電磁屏蔽薄膜的制備方法，其特征在于，所述MXene溶液的制備方法為：在稀鹽酸中加入氟化鋰，攪拌反應，然后加入Ti₃AlC₂粉末進行選擇性刻蝕，即得MXene溶液。