[發明專利]一種使用輔助繞組產生的負壓驅動SIC MOSFET的系統

在審

• 申請號: 202111153060.3
• 申請日: 2021-09-29
• 公開（公告）號: CN113922797A
• 公開（公告）日: 2022-01-11
• 發明（設計）人: 王曉飛;劉型志;蔡濱宇;田娟;鄭可;王蕊
• 申請（專利權）人: 西安交通大學
• 主分類號: H03K17/14
• 分類號: H03K17/14;H03K17/687
• 代理公司: 西安通大專利代理有限責任公司 61200
• 代理人: 白文佳

1.一種使用輔助繞組產生的負壓驅動SIC MOSFET的系統，其特征在于，包括輔助繞組、第一二極管(D1)、第一電阻(R1)、第一電容(C1)及驅動芯片，其中，輔助繞組的一端接地，輔助繞組的另一端與第一二極管(D1)的負極相連接，第一二極管(D1)的正極與第一電阻(R1)的一端相連接，第一電阻(R1)的另一端與驅動芯片的VDD-引腳及第一電容(C1)的負極相連接，第一電容(C1)的正極接地，驅動芯片的GATE引腳與SIC MOSFET管的柵極相連接。

2.根據權利要求1所述的使用輔助繞組產生的負壓驅動SIC MOSFET的系統，其特征在于，還包括交流電源、第二二極管(D2)、第三二極管(D3)、第四二極管(D4)、第五二極管(D5)、第六二極管(D6)、第七二極管(D7)、第二電阻(R2)、第二電容(C2)的負極接地，第二二極管(D2)的正極、第四二極管(D4)的正極、第二電容(C2)、第三電容(C3)、第四電容(C4)及變壓器；

交流電源的一端與第二二極管(D2)的正極及第三二極管(D3)的負極相連接，交流電源的另一端與第四二極管(D4)的正極及第五二極管(D5)的負極相連接，第三二極管(D3)的正極、第五二極管(D5)的正極及第二電容(C2)的負極接地，第二二極管(D2)的正極、第四二極管(D4)的正極、第二電容(C2)的正極、第二電阻(R2)的一端及變壓器中原邊繞組的一端相連接，驅動芯片的VDD+引腳與第三電容(C3)的正極、第六二極管(D6)的負極及第二電阻(R2)的另一端相連接，第六二極管(D6)的正極與第一二極管(D1)的負極相連接，變壓器中原邊繞組的另一端與SIC MOSFET管的漏極相連接，SIC MOSFET管的源極及驅動芯片的GND引腳均接地，變壓器中副邊繞組的一端經第七二極管(D7)及第四電容(C4)與變壓器中副邊繞組的另一端相連接，第三電容(C3)的負極接地。

3.根據權利要求1所述的使用輔助繞組產生的負壓驅動SIC MOSFET的系統，其特征在于，在工作時，通過調節第一電阻(R1)的電阻值，使得驅動芯片中VDD-處的電壓為-5V。

4.根據權利要求1所述的使用輔助繞組產生的負壓驅動SIC MOSFET的系統，其特征在于，第一電容(C1)用于儲能及濾波。