[發明專利]基底、發光二極管外延片及其制造方法在審
| 申請號: | 202111152302.7 | 申請日: | 2021-09-29 |
| 公開(公告)號: | CN114094001A | 公開(公告)日: | 2022-02-25 |
| 發明(設計)人: | 王群;葛永暉;王江波;董彬忠;李鵬 | 申請(專利權)人: | 華燦光電(浙江)有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/64 | 分類號: | H01L33/64;H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司: | 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138 | 代理人: | 呂耀萍 |
| 地址: | 322000 浙江省*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基底 發光二極管 外延 及其 制造 方法 | ||
1.一種基底,其特征在于,所述基底包括平片襯底、以及位于所述平片襯底上的氧化鋁層,所述平片襯底的與所述氧化鋁層接觸的一面上具有散熱結構,所述散熱結構在所述平片襯底的表面呈網格狀布置,且所述散熱結構為包括多個聚苯乙烯微球的空心球殼的結構。
2.根據權利要求1所述的基底,其特征在于,每個所述空心球殼的直徑均為50~150nm。
3.根據權利要求2所述的基底,其特征在于,所述散熱結構在所述平片襯底的表面形成的網格尺寸為1um*1um~3um*3um。
4.根據權利要求1~3任一項所述的基底,其特征在于,所述平片襯底的厚度為400-1500um。
5.根據權利要求4所述的基底,其特征在于,所述平片襯底為藍寶石襯底、硅片或碳化硅襯底。
6.一種發光二極管外延片,其特征在于,所述發光二極管外延片包括如權利要求1~5任一項所述的基底、以及依次層疊在所述基底上的未摻雜的氮化鎵層、N型半導體層、多量子阱層、電子阻擋層和P型半導體層。
7.一種基底的制造方法,其特征在于,所述制造方法包括:
提供一平片襯底;
在所述平片襯底上形成散熱結構和氧化鋁層,所述散熱結構在所述平片襯底的與所述氧化鋁層接觸的一面上呈網格狀布置,且所述散熱結構為包括多個聚苯乙烯微球的空心球殼的結構。
8.根據權利要求7所述的制造方法,其特征在于,所述在所述平片襯底上形成散熱結構和氧化鋁層,包括:
在所述平片襯底表面室溫噴涂包含多個聚苯乙烯微球的散熱材料,使得所述散熱材料在所述平片襯底上呈網格狀布置;
在所述平片襯底的具有所述散熱材料的一面上沉積氧化鋁層;
對所述平片襯底進行高溫退火處理,去除所述多個聚苯乙烯微球中的部分聚苯乙烯材料,使得所述多個聚苯乙烯微球均變為空心球殼,以形成所述散熱結構。
9.根據權利要求8所述的制造方法,其特征在于,所述制造方法還可以包括:
向所述空心球殼中通入導熱流體。
10.一種發光二極管外延片的制造方法,其特征在于,所述制造方法包括:
采用如權利要求7~9任一項所述的制造方法制造基底;
在所述基底上依次生長未摻雜的氮化鎵層、N型半導體層、多量子阱層、電子阻擋層和P型半導體層。
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