[發明專利]一種內電解水處理裝置及方法有效
| 申請號: | 202111150170.4 | 申請日: | 2021-09-29 |
| 公開(公告)號: | CN113735229B | 公開(公告)日: | 2023-05-26 |
| 發明(設計)人: | 洪忠偉;萬京林;戴陽 | 申請(專利權)人: | 南京蘇曼等離子科技有限公司;洪忠偉 |
| 主分類號: | C02F1/461 | 分類號: | C02F1/461;C02F101/20;C02F101/30;C02F101/32;C02F101/34;C02F101/36 |
| 代理公司: | 南京知識律師事務所 32207 | 代理人: | 陳卓;吳頻梅 |
| 地址: | 211178 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 電解 水處理 裝置 方法 | ||
1.一種內電解水處理反應器,其特征在于:?包括反應器本體(1)、反應器本體(1)為絕緣層殼體;反應器本體(1)上設金屬蓋板(2)、下設反應器蓋底(3);金屬蓋板(2)上設置有氣孔(13);在金屬蓋板(2)的中心位置設置有一圓形通孔,套有絕緣套(5)的中心電極(4)穿過圓形通孔,中心電極(4)直達反應器本體(1)的底部;?通過氣孔(13)嵌入放電針,放電針的針尾(6)置于金屬蓋板(2)上;
所述金屬蓋板(2)和中心電極(4)分別與電源的一端相連;所述電源的電壓為500V以上;
反應器本體(1)外部設有進水閥(11)和出水閥(12),進水閥(11)安裝于反應器本體(1)一側的下端;出水閥(12)安裝于反應器本體(1)另一側的上端;針尖端始終位于水面之上,與水面保持空氣絕緣,故直流高壓就可以加上正負極,并且放大兩種介質催化劑之間的界面電勢差;
反應器內部鋪滿催化劑,所述催化劑為金屬和N型半導體、金屬和P型半導體、N型半導體和P型半導體的任一組合;
所述金屬為Fe、Ti、Cu、Ni或Sn;所述P型半導體為NiO、CuO或BaTiO3;所述N型半導體為Fe2O3、TiO2或SnO2。
2.根據權利要求1所述的內電解水處理反應器,其特征在于:反應器本體(1)為玻璃鋼絕緣層殼體,為圓筒狀,垂直放置,所述反應器高度大于2m,出水閥(12)上設置有濾網(9)可防止顆粒物外排;所述金屬蓋板(2)上通過螺釘(7)與反應器本體(1)連接,反應器蓋底(3)與反應器本體(1)可拆卸連接或鉸接,?連接處設有密封圈防止漏水。
3.根據權利要求1或2所述的內電解水處理反應器用于水處理的方法,其特征在于:反應器內部鋪滿催化劑,所述催化劑為金屬和N型半導體,以金屬蓋圓心處插入套有絕緣套的中心電極,連接高壓直流電源正極,金屬蓋板(2)連接高壓直流電源負極,圓心周圍微孔插入放電針,連接直流高壓負極;針尖端始終位于水面之上,與水面保持空氣絕緣,故直流高壓就可以加上正負極,并且放大兩種介質為金屬和N型半導體之間的界面電勢差,利用界面電勢差產生內電解反應即界面反應,降解有機污染物;放電針作用在于通過放電連通電源,使得電化學反應得以進行;
反應步驟:打開進水閥,污染水流進反應器,同時接通直流高壓,高壓電場形成金屬與N型半導體之間的高位電勢差,從而N型半導體形成空穴氧帶正電,而金屬接受N型半導體電子后,即與電源正極上正電荷中和,故金屬與N型半導體匹配帶有正電荷,具備強氧化性,發生內電解反應,進而降解有機污染物;當水面升至出水閥高度時,污染水在處理器中停留20-40min,處理后的污水經出水閥流出;
所述的污染水中污染物為離子型有機物:剛果紅、亞甲基藍、甲苯、有機磷農藥、苯酚、苯或氯苯。
4.根據權利要求1或2所述的內電解水處理反應器用于水處理的方法,其特征在于:
反應器內部鋪滿催化劑,所述催化劑為金屬和P型半導體,以鋼蓋圓心處插入套有絕緣套的中心電極,連接高壓直流電源負極,金屬蓋板(2)連接高壓直流電源正極,圓心周圍微孔插入放電針,連接直流高壓正極;針尖端始終位于水面之上,與水面保持空氣絕緣,故直流高壓就可以加上正負極,并且放大兩種介質催化劑為金屬和P型半導體之間的界面電勢差,利用界面電勢差產生內電解反應即界面反應,降解有機污染物;放電針作用在于通過放電連通電源,使得電化學反應得以進行;
反應步驟:打開進水閥,污染水流進反應器,同時接通直流高壓,高壓電場形成金屬與P型半導體之間的高位電勢差,從而P型半導體帶負電,而金屬向P型半導體轉移電子后,又可以從電源負極補充電子,即金屬和P型半導體匹配帶有負電荷,具備還原性,進而降解重金屬離子,發生內電解反應;當水面升至出水閥高度時,污染水在處理器中停留20-40min,處理后的污水經出水閥流出;
所述的污染水中污染物為重金屬離子:Cu、Ge、Mn、Ni或Hg。
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