[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制造方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202111149716.4
• 申請(qǐng)日: 2021-09-29
• 公開（公告）號(hào): CN114005757A
• 公開（公告）日: 2022-02-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳宏;曹秀亮;劉張李;卓明川
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/48
• 分類號(hào): H01L21/48;H01L23/498
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 周耀君

1.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件的制造方法包括：

提供襯底，所述襯底上形成有金屬層，所述金屬層覆蓋部分所述襯底；

形成側(cè)墻層，所述側(cè)墻層覆蓋所述金屬層的側(cè)壁；

形成鈍化層，所述鈍化層覆蓋所述側(cè)墻層、所述金屬層的頂表面及所述襯底；以及，

刻蝕所述鈍化層，以在所述鈍化層中形成鈍化層開口，所述鈍化層開口對(duì)準(zhǔn)所述金屬層并暴露出部分所述金屬層的頂表面。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述鈍化層包括第一鈍化層和覆蓋所述第一鈍化層的第二鈍化層，所述第一鈍化層的材質(zhì)與所述第二鈍化層的材質(zhì)不同。

3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述第一鈍化層的材質(zhì)為氧化硅，所述第二鈍化層的材質(zhì)為氮化硅，通過等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積的方式形成所述第一鈍化層和所述第二鈍化層。

4.如權(quán)利要求2或3所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述第一鈍化層的厚度為9000nm～9500nm，所述第二鈍化層的厚度為2800nm～3100nm。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，形成所述側(cè)墻層的方法包括：

形成側(cè)墻材料層，所述側(cè)墻材料層覆蓋金屬層的頂表面和側(cè)壁以及所述襯底；

利用等離子體刻蝕工藝去除位于所述金屬層的頂表面以及位于所述襯底上的側(cè)墻材料層，并保留位于所述金屬層的側(cè)壁上的所述側(cè)墻材料層以形成所述側(cè)墻層。

6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述側(cè)墻材料層的材質(zhì)為氧化硅，通過等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積工藝的方式形成所述側(cè)墻材料層。

7.如權(quán)利要求5或6所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，在形成所述側(cè)墻材料層時(shí)，所述側(cè)墻材料層的厚度為900nm～1000nm。

8.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，在利用等離子體刻蝕工藝去除位于所述金屬層的頂表面以及位于所述襯底上的側(cè)墻材料層時(shí)，所述等離子體刻蝕工藝的刻蝕氣體包括全氟化碳、三氟甲烷和氧氣。

9.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件包括：

襯底；

金屬層，形成于所述襯底上，并覆蓋部分所述襯底；

側(cè)墻層，覆蓋所述金屬層的側(cè)壁；

鈍化層，覆蓋所述側(cè)墻層和所述襯底，并覆蓋所述金屬層的部分頂表面，其中，所述鈍化層中具有一鈍化層開口，所述鈍化層開口對(duì)準(zhǔn)所述金屬層并暴露出所述金屬層的頂表面。

10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述側(cè)墻層的材質(zhì)為氧化硅。