[發(fā)明專利]電子設(shè)備及天線發(fā)射功率的調(diào)節(jié)方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202111148796.1
• 申請日: 2021-09-28
• 公開（公告）號: CN113890935B
• 公開（公告）日: 2023-06-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 林栢暐
• 申請（專利權(quán)）人: OPPO廣東移動通信有限公司
• 主分類號: H04M1/72454
• 分類號: H04M1/72454;H01Q1/24;H04M1/02
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 熊永強

本申請實施例提供了一種電子設(shè)備及天線發(fā)射功率的調(diào)節(jié)方法，包括：電池蓋；顯示屏與電池蓋相對設(shè)置；邊框連接于電池蓋與顯示屏之間；距離檢測組件位于電池蓋與顯示屏之間，距離檢測組件包括第一檢測模組及第二檢測模組，第一檢測模組用于至少根據(jù)電池蓋所在側(cè)或顯示屏所在側(cè)的待測主體的反射信號檢測第一距離值；第二檢測模組用于根據(jù)邊框周側(cè)中的至少一側(cè)的待測主體靠近所產(chǎn)生的耦合電容檢測第二距離值；控制器電連接第一檢測模組及第二檢測模組，控制器用于根據(jù)第一距離值和/或第二距離值調(diào)節(jié)電子設(shè)備的天線發(fā)射功率。本申請能夠使電子設(shè)備的比吸收率滿足安全規(guī)范的同時，減少電子設(shè)備內(nèi)其他非靠近側(cè)的天線模組的發(fā)射功率的不必要的回退。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請涉及電子技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種電子設(shè)備及天線發(fā)射功率的調(diào)節(jié)方法。

背景技術(shù)

隨著移動通信技術(shù)的發(fā)展和移動終端設(shè)備的普及使用，移動終端的發(fā)射功率對人體的輻射也受到了重視。比吸收率(SAR，Specific?Absorption?Rate)這個指標，是指移動終端電磁波能量吸收比值，為單位質(zhì)量的人體組織所吸收或消耗的電磁功率，單位為W/kg，或者mW/mg。目前而言，如何提高識別待測主體靠近電子設(shè)備的精準度，使電子設(shè)備的比吸收率滿足安全規(guī)范的同時，減少電子設(shè)備內(nèi)其他非靠近側(cè)的天線模組的發(fā)射功率的不必要的回退，成為需要解決的技術(shù)問題。

發(fā)明內(nèi)容

本申請?zhí)峁┮环N提高識別待測主體靠近電子設(shè)備的精準度，使電子設(shè)備的比吸收率滿足安全規(guī)范的同時，減少電子設(shè)備內(nèi)其他非靠近側(cè)的天線模組的發(fā)射功率的不必要的回退的電子設(shè)備及天線發(fā)射功率的調(diào)節(jié)方法。

第一方面，本申請實施例提供了一種電子設(shè)備，包括：

電池蓋；

顯示屏，與所述電池蓋相對設(shè)置；

邊框，連接于所述電池蓋與所述顯示屏之間；

距離檢測組件，位于所述電池蓋與所述顯示屏之間，所述距離檢測組件包括第一檢測模組及第二檢測模組，所述第一檢測模組用于至少根據(jù)所述電池蓋所在側(cè)或所述顯示屏所在側(cè)的待測主體的反射信號檢測第一距離值；所述第二檢測模組用于根據(jù)所述邊框周側(cè)中的至少一側(cè)的所述待測主體靠近所產(chǎn)生的耦合電容檢測第二距離值；以及

控制器，電連接所述第一檢測模組及所述第二檢測模組，所述控制器用于根據(jù)所述第一距離值和/或所述第二距離值調(diào)節(jié)所述電子設(shè)備的天線發(fā)射功率。

另一方面，本申請實施例提供了一種天線發(fā)射功率的調(diào)節(jié)方法，應(yīng)用于電子設(shè)備，所述方法包括：

獲取第一檢測模組至少根據(jù)所述電池蓋所在側(cè)或所述顯示屏所在側(cè)的待測主體的反射信號檢測的第一距離值，其中，所述顯示屏與所述電池蓋相對設(shè)置；

獲取第二檢測模組根據(jù)所述邊框周側(cè)中的至少一側(cè)的所述待測主體靠近所產(chǎn)生的耦合電容檢測的第二距離值，其中，所述邊框連接于所述顯示屏與所述電池蓋之間；

根據(jù)所述第一距離值和/或所述第二距離值調(diào)節(jié)所述電子設(shè)備的天線發(fā)射功率。

本申請?zhí)峁┑碾娮釉O(shè)備，通過設(shè)計第一檢測模組至少根據(jù)電池蓋所在側(cè)或顯示屏所在側(cè)的待測主體的反射信號檢測第一距離值；及設(shè)計第二檢測模組根據(jù)邊框周側(cè)中的至少一側(cè)的待測主體靠近所產(chǎn)生的耦合電容檢測第二距離值；控制器根據(jù)第一距離值和/或第二距離值調(diào)節(jié)電子設(shè)備的天線發(fā)射功率，如此，控制器能夠根據(jù)第一距離值和/或第二距離值區(qū)分出待測主體從電子設(shè)備的邊框側(cè)靠近還是從顯示屏側(cè)和/或電池蓋側(cè)靠近，提高識別待測主體靠近側(cè)的精準性，以便于后續(xù)控制器能夠針對性地降低電子設(shè)備內(nèi)位于待測主體靠近側(cè)的天線模組的發(fā)射功率，以降低電子設(shè)備內(nèi)位于靠近側(cè)的天線模組輻射電磁波的比吸收率(SAR)，電子設(shè)備內(nèi)其他非靠近側(cè)的天線模組的發(fā)射功率可不退回或退回較少，以減少電子設(shè)備內(nèi)其他非靠近側(cè)的天線模組的發(fā)射功率的不必要的回退，從而提高電子設(shè)備的智能降SAR，確保電子設(shè)備的通信品質(zhì)。

附圖說明