[發(fā)明專(zhuān)利]一種用于拉制單晶硅棒的拉晶爐

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202111146606.2
• 申請(qǐng)日: 2021-09-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113862791A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-12-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 徐鵬;張婉婉
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 西安奕斯偉材料科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): C30B33/02
• 分類(lèi)號(hào): C30B33/02;C30B29/06;C30B15/14;C30B15/30;C30B15/20
• 代理公司: 西安維英格知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 61253
• 代理人: 沈寒酉;姚勇政

1.一種用于拉制單晶硅棒的拉晶爐，其特征在于，所述拉晶爐包括限定出熱處理室的加熱器，所述加熱器在所述拉晶爐中設(shè)置成使得，所述單晶硅棒能夠通過(guò)沿著拉晶方向移動(dòng)而進(jìn)入到所述熱處理室中。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拉晶爐，其特征在于，所述拉晶爐還包括提拉機(jī)構(gòu)，所述提拉機(jī)構(gòu)用于使所述單晶硅棒沿著所述拉晶方向移動(dòng)以使所述單晶硅棒從相界面處生長(zhǎng)并且進(jìn)入到所述熱處理室中。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的拉晶爐，其特征在于，所述提拉機(jī)構(gòu)構(gòu)造成使整個(gè)所述單晶硅棒在所述熱處理室中停留所需的熱處理時(shí)間。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的拉晶爐，其特征在于，所述提拉機(jī)構(gòu)構(gòu)造成使所述單晶硅棒以恒定的速度移動(dòng)穿過(guò)所述熱處理室，使得所述單晶硅棒的任一橫截面在所述熱處理室中停留所需的熱處理時(shí)間。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拉晶爐，其特征在于，所述拉晶爐還包括設(shè)置在熱處理室內(nèi)的用于對(duì)所述單晶硅棒的溫度進(jìn)行檢測(cè)的溫度傳感器和與所述溫度傳感器連接的控制器，

其中，所述控制器設(shè)置成用于根據(jù)所述溫度傳感器檢測(cè)到的溫度控制所述加熱器的加熱溫度，以提供所需的熱處理溫度。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的拉晶爐，其特征在于，所述加熱器能夠被所述控制器控制成所述加熱器的沿所述拉晶方向的不同部分同時(shí)提供不同的溫度。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中的任一項(xiàng)所述的拉晶爐，其特征在于，所述單晶硅棒的熱處理溫度為800攝氏度。

8.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的拉晶爐，其特征在于，所述熱處理時(shí)間為2小時(shí)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至6中的任一項(xiàng)所述的拉晶爐，其特征在于，所述熱處理室的沿所述拉晶方向的長(zhǎng)度大于等于所述單晶硅棒的長(zhǎng)度使得所述單晶硅棒能夠完全位于所述熱處理室中。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拉晶爐，其特征在于，所述單晶硅棒在所述熱處理室中被熱處理之后具有的BMD密度不小于1E8ea/cm³。