[發明專利]一種測試晶圓、芯片形成方法和芯片測試方法在審
| 申請號： | 202111145686.X | 申請日： | 2021-09-28 |
| 公開（公告）號： | CN113921514A | 公開（公告）日： | 2022-01-11 |
| 發明（設計）人： | 王貽源 | 申請（專利權）人： | 芯盟科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L25/18 | 分類號： | H01L25/18;H01L21/66;H01L21/98;G01R31/28;G01R1/067;G11C29/04;G11C29/08 |
| 代理公司： | 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270 | 代理人： | 賈偉;張穎玲 |
| 地址： | 314400 浙江省嘉興市海寧市海*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 測試 芯片 形成 方法 | ||
1.一種測試晶圓，其特征在于，包括：
多個存儲裸片，每個所述存儲裸片上設有多個測試區域，每個測試區域包括電連接的控制邏輯區域和襯墊區域；
所述控制邏輯區域與對應的所述存儲裸片電性連接，所述控制邏輯區域集成有邏輯裸片的控制邏輯；
所述襯墊區域用于進行晶圓探針CP測試。
2.根據權利要求1所述的測試晶圓，所述控制邏輯包括：存儲單元修復邏輯和存儲單元控制邏輯。
3.根據權利要求1所述的測試晶圓，其特征在于，所述控制邏輯用于控制執行以下測試操作至少之一：存儲單元短路測試、存儲單元開路測試、相鄰存儲單元之間的短路測試、地址短路測試、地址開路測試以及存儲單元干擾測試。
4.根據權利要求1所述的測試晶圓，其特征在于，所述存儲裸片為DRAM存儲裸片，或SRAM存儲裸片，或MRAM存儲裸片。
5.根據權利要求1所述的測試晶圓，其特征在于，所述測試區域位于所述存儲裸片的邊緣區域。
6.根據權利要求1所述的測試晶圓，其特征在于，所述襯墊區域位于最高金屬層。
7.根據權利要求1所述的測試晶圓，其特征在于，所述襯墊區域的面積小于所述邏輯集成區域的面積。
8.根據權利要求1所述的測試晶圓，其特征在于，所述襯墊區域設置于所述邏輯集成區域上方。
9.根據權利要求1所述的測試晶圓，其特征在于，所述多個測試區域的總面積小于所述存儲裸片的面積的0.5％。
10.一種存儲器芯片的形成方法，其特征在于，所述方法包括：
提供如權利要求1-9任一項所述的測試晶圓；
對所述測試晶圓進行切割以獲得多個存儲裸片；
將所述存儲裸片與邏輯晶圓上的所述邏輯裸片進行鍵合以形成存儲器芯片。
11.一種芯片測試方法，其特征在于，包括：
提供如權利要求1至9中任一項所述的測試晶圓；
通過測試探針接觸所述襯墊區域，以基于所述控制邏輯區域集成的邏輯裸片的控制邏輯對所述測試裸片進行晶圓探針CP測試。
12.根據權利要求11所述的芯片測試方法，其特征在于，所述控制邏輯包括：存儲單元修復邏輯和存儲單元控制邏輯。
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