[發明專利]承載裝置及半導體工藝腔室有效
| 申請號: | 202111144662.2 | 申請日: | 2021-09-28 |
| 公開(公告)號: | CN113862645B | 公開(公告)日: | 2023-09-08 |
| 發明(設計)人: | 任曉艷;翟浩;鄭波;蘭云峰;王勇飛;秦海豐;張文強;王昊 | 申請(專利權)人: | 北京北方華創微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/458 | 分類號: | C23C16/458;C23C16/455;C23C16/505 |
| 代理公司: | 北京國昊天誠知識產權代理有限公司 11315 | 代理人: | 周永強 |
| 地址: | 100176 北京市*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 承載 裝置 半導體 工藝 | ||
1.一種承載裝置,應用于半導體工藝設備的工藝腔室(800),其特征在于,包括:承載座本體(100)、導電件(200)和設置于所述承載座本體(100)內部的第一電極(300),所述第一電極(300)用于與接地裝置(400)連接;
所述承載座本體(100)設有承載面(120),用于承載晶圓(900),且與所述晶圓(900)絕緣;
所述導電件(200)的一端與所述第一電極(300)電性連接,另一端用于與所述承載座本體(100)承載的所述晶圓(900)接觸,以將所述晶圓(900)上產生的電荷通過所述第一電極(300)接地釋放。
2.根據權利要求1所述的承載裝置,其特征在于,所述承載座本體(100)具有容納所述晶圓(900)的凹槽(150),在所述凹槽(150)的底面形成所述承載面(120);
所述承載座本體(100)還具有容納腔體(110),所述第一電極(300)設置于所述容納腔體(110)中;
所述承載座本體(100)上設有從所述承載面(120)延伸至所述容納腔體(110)的第一通孔(130),所述導電件(200)設置于所述第一通孔(130),且所述導電件(200)與所述晶圓(900)相對的表面與所述承載面(120)齊平或者凸出于所述承載面(120)。
3.根據權利要求2所述的承載裝置,其特征在于,所述第一電極(300)設有螺紋安裝孔(310),所述螺紋安裝孔(310)與所述第一通孔(130)相對設置;
所述導電件(200)為耐腐蝕的螺紋件,所述導電件(200)與所述螺紋安裝孔(310)螺紋連接。
4.根據權利要求3所述的承載裝置,其特征在于,所述螺紋安裝孔(310)的深度大于所述導電件(200)的長度,通過調節所述導電件(200)旋入所述螺紋安裝孔(310)的深度,以改變所述導電件(200)的頂面和所述承載面(120)之間的距離。
5.根據權利要求2至4中任意一項所述的承載裝置,其特征在于,所述承載裝置包括多個所述導電件(200),多個所述導電件(200)相對于所述承載面(120)的中心對稱分布,且多個所述導電件(200)所在的圓的面積小于所述承載面(120)的面積。
6.根據權利要求1或2所述的承載裝置,其特征在于,所述接地裝置(400)包括接地電極(410);
所述承載座本體(100)設有延伸至所述第一電極(300)的第二通孔(140),所述接地電極(410)穿過所述第二通孔(140)與所述第一電極(300)電性連接。
7.根據權利要求1所述的承載裝置,其特征在于,所述承載座本體(100)的材質為陶瓷材質,所述陶瓷材質至少包括AlN和Al2O3;
或者,所述承載座本體(100)用于承載所述晶圓(900)的承載面(120)設有鈍化層,所述鈍化層至少包括Al2O3絕緣層;
和/或,所述導電件(200)為鎳鋅合金螺釘或導電陶瓷螺釘。
8.根據權利要求1所述的承載裝置,其特征在于,所述承載裝置還包括用以升降所述晶圓(900)的升降組件(500),所述升降組件(500)包括安裝架(510)和多個頂針(520),其中:
所述頂針(520)固定安裝在所述安裝架(510)上,并對應設置于所述承載座本體(100)的貫穿孔(160)內,用以支撐所述晶圓(900);
所述安裝架(510)用于與驅動源連接。
9.根據權利要求1所述的承載裝置,其特征在于,所述承載裝置還包括用于加熱所述承載座本體(100)的加熱件(600),所述加熱件(600)設置于所述承載座本體(100)內,且位于所述第一電極(300)背離所述承載面(120)的一側。
10.一種半導體工藝腔室,包括腔室本體和承載裝置,所述承載裝置設置于所述腔室本體內,其特征在于,所述承載裝置為權利要求1至9中任意一項所述的承載裝置。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





