[發明專利]存儲器器件及其形成方法

在審

• 申請號: 202111140718.7
• 申請日: 2021-09-28
• 公開（公告）號: CN114497364A
• 公開（公告）日: 2022-05-13
• 發明（設計）人: 董嘉瑞;孫劍勛;蔣懿;陳元文
• 申請（專利權）人: 格芯新加坡私人有限公司
• 主分類號: H01L45/00
• 分類號: H01L45/00
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 賀月嬌;牛南輝

1.一種存儲器器件，包括：

第一電極，其具有頂表面和錐形側面，其中在所述錐形側面與所述頂表面會合時所述錐形側面朝向彼此逐漸變窄；

電介質層，其設置在所述第一電極的所述錐形側面上并與所述第一電極的所述錐形側面共形；

電阻層，其與所述第一電極的所述頂表面和所述電介質層接觸；以及

第二電極，其設置在所述電阻層上。

2.根據權利要求1所述的器件，其中所述電介質層具有與所述第一電極的所述頂表面基本共面的上表面。

3.根據權利要求2所述的器件，其中所述電阻層具有基本平面的上表面。

4.根據權利要求3所述的器件，還包括：

第一互連結構，其布置在所述第一電極下方并連接到所述第一電極；以及

第二互連結構，其布置在所述第二電極上方并連接到所述第二電極。

5.根據權利要求4所述的器件，其中所述第二互連結構橫跨所述第一互連結構。

6.根據權利要求5所述的器件，其中所述電阻層和所述第二電極橫向延伸以橫跨所述第一互連結構。

7.根據權利要求1所述的器件，其中所述第一電極的所述頂表面具有比所述第一電極的底表面小的面積。

8.根據權利要求7所述的器件，其中所述第一電極是具有橢圓基部的截頭錐體。

9.根據權利要求8所述的器件，其中所述第一電極具有截頭圓錐幾何形狀。

10.根據權利要求7所述的器件，其中所述第一電極是具有多邊形基部的截頭錐體。

11.根據權利要求10所述的器件，其中所述第一電極具有截頭角錐幾何形狀。

12.根據權利要求7所述的器件，其中所述第一電極具有梯形截面形狀。

13.根據權利要求1所述的器件，其中所述第一電極的所述頂表面是基本平面的。

14.一種形成存儲器器件的方法，包括：

形成具有頂表面和錐形側面的第一電極，其中在所述錐形側面與所述頂表面會合時所述錐形側面朝向彼此逐漸變窄；

在所述第一電極的所述錐形側面上并與所述第一電極的所述錐形側面共形地形成電介質層；

形成與所述第一電極的所述頂表面和所述電介質層接觸的電阻層；以及

在所述電阻層上形成第二電極。

15.根據權利要求14所述的方法，其中形成所述電介質層進一步包括：

沉積所述電介質層以覆蓋所述第一電極的所述頂表面；

平面化所述電介質層的上表面以暴露所述第一電極的所述頂表面，其中所述電介質層的所述上表面與所述第一電極的所述頂表面基本共面。

16.根據權利要求14所述的方法，還包括：

在形成所述第一電極之前設置包括第一互連結構的金屬間電介質區；以及

在所述第二電極上形成第二互連結構。

17.根據權利要求16所述的方法，其中形成所述第一電極進一步包括：

在所述金屬間電介質區和所述第一互連結構上沉積導電材料；以及

圖案化所述導電材料以形成所述第一電極的所述錐形側面，其中所述第一電極具有與所述第一互連結構接觸的底表面。

18.根據權利要求15所述的方法，其中所述電介質層的沉積包括原子層沉積工藝。