[發明專利]一種改善曝光焦距均勻性的方法

在審

• 申請號: 202111139947.7
• 申請日: 2021-09-28
• 公開（公告）號: CN113917799A
• 公開（公告）日: 2022-01-11
• 發明（設計）人: 王建濤
• 申請（專利權）人: 上海華力集成電路制造有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 戴廣志

1.一種改善曝光焦距均勻性的方法，其特征在于，至少包括：

步驟一、提供前層版圖，將所述前層版圖中疏密度不同的圖形區域分為密集圖形、半密集圖形、半稀疏圖形和稀疏圖形；

步驟二、提供當層版圖，確定當層的曝光圖形區域，根據該曝光圖形區域的位置確定與其對應的前層版圖中圖形區域的疏密度為密集圖形；

步驟三、利用所述前層版圖在晶圓上形成目標結構；

步驟四、在所述目標結構上進行當層的光刻膠涂布；

步驟五、對所述晶圓進行切片，量測所述目標結構中疏密度不同的圖形區域上的所述光刻膠厚度；得到不同光刻膠厚度與所述疏密度的對應關系；

步驟六、提供與所述前層版圖中密集圖形所對應的當層的曝光焦距，利用該曝光焦距和步驟二中所述當層版圖對步驟四中涂布有光刻膠的目標結構進行當層曝光圖形區域的光刻膠曝光；

步驟七、將步驟五中得到的不同光刻膠厚度與所述疏密度對應關系映射到前層疏密度與當層曝光焦距的對應關系；

步驟八、利用步驟六中與前層密集圖形對應的當層的曝光焦距以及步驟八中的前層疏密度與當層曝光焦距的對應關系，得到前層不同疏密度對應的當層的曝光焦距。

2.根據權利要求1所述的改善曝光焦距均勻性的方法，其特征在于：步驟一中用透光率表征所述疏密程度。

3.根據權利要求1所述的改善曝光焦距均勻性的方法，其特征在于：步驟二中所述曝光圖形區域與該曝光圖形區域對應的前層版圖中的圖形區域疊對。

4.根據權利要求1所述的改善曝光焦距均勻性的方法，其特征在于：步驟三中利用所述前層版圖對所述晶圓進行光刻和刻蝕，在所述晶圓上形成所述目標結構。

5.根據權利要求1所述的改善曝光焦距均勻性的方法，其特征在于：步驟五中利用膜厚機量測所述目標結構中疏密度不同的圖形區域上的所述光刻膠的厚度。

6.根據權利要求1所述的改善曝光焦距均勻性的方法，其特征在于：步驟六中與所述前層版圖中密集圖形所對應的當層的曝光焦距作為考慮前層為密集圖形時，當層曝光的最佳焦距。

7.根據權利要求1所述的改善曝光焦距均勻性的方法，其特征在于：步驟六中與所述當層曝光圖形區域疊對的前層圖形區域為密集圖形。

8.根據權利要求1所述的改善曝光焦距均勻性的方法，其特征在于：步驟七中所述前層疏密度與當層曝光焦距的對應關系中，該當層曝光焦距為考慮前層疏密度對當層影響時，當層曝光的最佳焦距。

9.根據權利要求1所述的改善曝光焦距均勻性的方法，其特征在于：步驟七中所述不同光刻膠厚度與所述疏密度對應關系映射到前層疏密度與當層曝光焦距的對應關系中，該映射的規律從大量實驗數據得出。

10.根據權利要求1所述的改善曝光焦距均勻性的方法，其特征在于：步驟八中得到前層不同疏密度對應的當層的曝光焦距的方法包括：根據所述前層疏密度與當層曝光焦距的對應關系、對步驟六中與所述前層版圖中密集圖形所對應的當層的曝光焦距進行差值補償，補償后得到不同疏密度對應的當層的曝光焦距的差值寫進AGILE文件，供后續曝光調用。