[發明專利]TVS芯片及其生產方法

有效

• 申請號: 202111139076.9
• 申請日: 2021-09-27
• 公開（公告）號: CN114038900B
• 公開（公告）日: 2022-06-10
• 發明（設計）人: 汪良恩;李建利;汪曦凌
• 申請（專利權）人: 安徽芯旭半導體有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/861;H01L21/329
• 代理公司: 北京久誠知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 11542
• 代理人: 翟麗紅

1.一 種TVS芯片生產方法，其特征在于，所述方法包括：

S1、硅襯底清洗后進行氧化，形成氧化膜；

S2、氧化膜表面涂覆光刻膠，采用光刻的方式將需要擴散的區域氧化膜去除，形成開溝區；

S3、將開溝后的硅襯底放入腐蝕液，形成淺溝；

S4、去光刻膠，對硅襯底進行清洗；

S5、硅襯底表面附擴散源，淺溝內被擴散，形成外層深結層；

S6、去除氧化膜，并清洗硅襯底；

S7、硅襯底表面區域附上擴散源，硅襯底表面所有區域被擴散，形成內層淺結層。

2.如權利要求1所述的TVS芯片生產方法，其特征在于，所述方法還包括：

S8、去除擴散形成的氧化層，再進行第二次光刻，在淺溝區域中心形成蝕刻區域，對蝕刻區域進行腐蝕，形成深開溝；

S9、鈍化、表面金屬化、切割，形成TVS芯片。

3.如權利要求1所述TVS芯片生產方法，其特征在于，所述硅襯底包括摻硼硅或磷硅，其電阻率小于0.01Ω·m。

4.如權利要求1所述TVS芯片生產方法，其特征在于，所述S3包括：

在溫度條件為-10℃~0℃的條件下通過腐蝕液對開溝區化學腐蝕1~5min，形成深度為10~20μm的淺溝。

5.如權利要求1~4任一所述TVS芯片生產方法，其特征在于，所述S5包括：

在硅襯底表面附硼或者磷液態源，在溫度為1200℃~1300℃條件下擴散5~30h，形成深度在30~50μm的外層深結層。

6.如權利要求1~4任一所述TVS芯片生產方法，其特征在于，所述S7包括：

在硅襯底表面附硼或者磷液態源，在溫度為1100℃~1300℃條件下擴散2~5h，形成深度為10~20μm內層淺結層。

7.如權利要求2所述TVS芯片生產方法，其特征在于，所述S8包括：

通過腐蝕液去除擴散形成的氧化層，并進行清洗，甩干；進行第二次光刻，在淺溝區域中心內留下蝕刻區域，所述蝕刻區域面積S和淺溝區域上表面面積M的關系為S≦M；在蝕刻區域滴上腐蝕液，腐蝕10~30min，形成腐蝕深度50μm~150μm的深開溝，并清洗甩干。