[發明專利]一種硼基材料改性的稀土氧化物空間n-γ混合場輻射屏蔽的復合涂層及其制備方法有效
| 申請號： | 202111139058.0 | 申請日： | 2021-09-27 |
| 公開（公告）號： | CN113969078B | 公開（公告）日： | 2022-07-12 |
| 發明（設計）人： | 吳曉宏;李楊;秦偉;盧松濤;洪楊 | 申請（專利權）人： | 哈爾濱工業大學 |
| 主分類號： | C09D7/62 | 分類號： | C09D7/62 |
| 代理公司： | 哈爾濱市陽光惠遠知識產權代理有限公司 23211 | 代理人： | 李恩慶 |
| 地址： | 150001 黑*** | 國省代碼： | 黑龍江;23 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基材 改性 稀土 氧化物 空間 混合 輻射 屏蔽 復合 涂層 及其 制備 方法 | ||
1.一種硼基材料改性的稀土氧化物空間n-γ混合場輻射屏蔽的復合涂層的制備方法，其特征在于，該方法包括以下步驟：
步驟1，制備核殼結構粉體；
采用氣相沉積法在稀土金屬氧化物納米顆粒外表面沉積BN或BC膜層，獲得核殼結構粉體；所述的步驟1中氣相沉積的操作過程為：將稀土金屬氧化物納米顆粒在550~750℃條件下與反應氣接觸反應，反應時間為30~120min，在稀土金屬氧化物納米顆粒表面沉積包覆BN或BC薄膜；
其中，反應氣停留時間為0.15~0.35s，反應壓力為3.5~5.5kpa，稀釋氣體是純度為99.999%惰性氣體或純度為99.999%的氫氣；
所述的反應氣由BX3、N2、H2和NH3組成，各氣體流量分別為：BX3為15v/ml·min-1、N2為105v/ml·min-1、H2為15v/ml·min-1和NH3為65v/ml·min-1，或者BX3為20v/ml·min-1、N2為100v/ml·min-1、H2為20v/ml·min-1和NH3為60v/ml·min-1，或者BX3為25v/ml·min-1、N2為95v/ml·min-1、H2為25v/ml·min-1和NH3為55v/ml·min-1；
所述的BX3為氯化硼、溴化硼或碘化硼；
步驟2，制備復合涂層；
將步驟1獲得的核殼結構粉體與樹脂進行混合，并使用三輥研磨機進行研磨處理，研磨結束后，將得到的漿料涂覆在被保護物表面，干燥處理后形成復合涂層。
2.根據權利要求1所述的一種硼基材料改性的稀土氧化物空間n-γ混合場輻射屏蔽的復合涂層的制備方法，其特征在于，所述的稀土金屬氧化物為氧化釓、氧化鉺中一種或兩種按任意比例混合，稀土金屬氧化物的平均粒徑為10~30nm，稀土金屬氧化物納米顆粒外表面沉積BN或BC薄膜厚度為30~50nm。
3.根據權利要求1所述的一種硼基材料改性的稀土氧化物空間n-γ混合場輻射屏蔽的復合涂層的制備方法，其特征在于，所述的步驟2中研磨處理時間為5~10min。
4.根據權利要求1所述的一種硼基材料改性的稀土氧化物空間n-γ混合場輻射屏蔽的復合涂層的制備方法，其特征在于，所述的步驟2中復合粉體加入量為復合粉體和樹脂總質量的10~80%。
5.根據權利要求1所述的一種硼基材料改性的稀土氧化物空間n-γ混合場輻射屏蔽的復合涂層的制備方法，其特征在于，所述的步驟2中干燥處理溫度為30~80℃。
6.根據權利要求1所述的一種硼基材料改性的稀土氧化物空間n-γ混合場輻射屏蔽的復合涂層的制備方法，其特征在于，所述的步驟2中樹脂為環氧樹脂、氰酸酯或聚氨酯。
7.根據權利要求1所述的一種硼基材料改性的稀土氧化物空間n-γ混合場輻射屏蔽的復合涂層的制備方法，其特征在于，所述的步驟2中漿料涂覆方式為噴涂法、旋涂法或刮涂法。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于哈爾濱工業大學，未經哈爾濱工業大學許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202111139058.0/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
