[發明專利]一種抗輻射封裝加固的CMOS器件及其制備方法

有效

• 申請號: 202111139056.1
• 申請日: 2021-09-27
• 公開（公告）號: CN113943531B
• 公開（公告）日: 2022-08-19
• 發明（設計）人: 吳曉宏;李楊;秦偉;盧松濤;洪楊
• 申請（專利權）人: 哈爾濱工業大學
• 主分類號: C09D179/04
• 分類號: C09D179/04;C09D163/00;C09D175/04;C09D7/61;C09D5/32
• 代理公司: 哈爾濱市陽光惠遠知識產權代理有限公司 23211
• 代理人: 李恩慶

1.一種抗輻射封裝加固的CMOS器件的制備方法，其特征在于，該方法包括以下步驟：

步驟1，制備復合粉體；

以稀土金屬氧化物和高Z金屬材料為原料，制備核殼結構的復合粉體；

所述的步驟1制備復合粉體的方法具體為：向體積為200mL，濃度為15g/L的硝酸鉺水溶液中加入15g鎢粉，攪拌均勻后，加入20mL氨水，在35℃條件下進行攪拌，直至Er₂O₃層析出并均勻地分散在鎢粉的表面，得到包覆效果較好的W@Er₂O₃復合材料；

步驟2，制備復合涂層；

將步驟1獲得的復合粉體與樹脂進行混合，并使用三輥研磨機進行研磨處理，研磨結束后，將得到的漿料涂覆在CMOS器件表面，固化處理后形成復合涂層。

2.根據權利要求1所述的一種抗輻射封裝加固的CMOS器件的制備方法，其特征在于，所述的步驟2中復合粉體加入量為復合粉體和樹脂總質量的30％～70％。

3.根據權利要求1所述的一種抗輻射封裝加固的CMOS器件的制備方法，所述的步驟2中研磨處理時間為5min～10min。

4.根據權利要求1所述的一種抗輻射封裝加固的CMOS器件的制備方法，其特征在于，所述的步驟2獲得到的復合涂層的厚度為100 μ m ～300 μ m 。

5.根據權利要求1所述的一種抗輻射封裝加固的CMOS器件的制備方法，其特征在于，所述的步驟2中樹脂為氰酸酯、環氧樹脂或聚氨酯中任意一種。