[發明專利]顯示面板及顯示裝置在審
| 申請號: | 202111138910.2 | 申請日: | 2021-09-27 |
| 公開(公告)號: | CN115881753A | 公開(公告)日: | 2023-03-31 |
| 發明(設計)人: | 邢愛民 | 申請(專利權)人: | 成都辰顯光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;H01L33/62 |
| 代理公司: | 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 11258 | 代理人: | 娜拉 |
| 地址: | 611731 四*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 顯示裝置 | ||
本發明公開了一種顯示面板及顯示裝置,顯示面板包括:第一基板,在第一基板一側表面設于多個第一發光元件,第一發光元件具有第一出光面;第二基板,和第一基板相連接,且在沿垂直于第二基板所在平面的方向上,第二基板和第一基板之間具有高度差,在第二基板一側表面設有多個第二發光元件,第二發光元件具有第二出光面,第一出光面和第二出光面平齊設置。通過將第一基板上的第一發光元件的第一出光面設置成和第二基板上的第二發光元件的第二出光面平齊,保證第一發光元件和第二發光元件的出光高度一致,提高了第一發光元件和第二發光元件出光的一致性,有效提升了顯示面板的光學顯示效果。
技術領域
本發明屬于電子產品技術領域,尤其涉及一種顯示面板及顯示裝置。
背景技術
發光二極管(Light Emitting Diode,LED)以其體積小、功率低、使用壽命長、高亮度等優點,而被廣泛應用于照明及顯示等技術領域。微型 LED顯示器具備單獨像素元件的LED陣列,與目前廣泛應用的顯示裝置相比,微型LED顯示器具備更好的對比度,更快的響應速度,更低的能耗。
目前Micro LED大尺寸TV產品良率極低,將小尺寸Micro LED屏體進行拼接為實現大尺寸TV顯示的一種較好的方法。但受到現有的拼接屏結構顯示,顯示效果不佳。
因此,亟需一種新的顯示面板及顯示裝置。
發明內容
本發明實施例提供了一種顯示面板及顯示裝置,第一出光面設置成和第二基板上的第二發光元件的第二出光面平齊,保證第一發光元件和第二發光元件的出光高度一致,避免第一發光元件和第二發光元件受到第一基板和第二基板的高度差影響,提高了第一發光元件和第二發光元件出光的一致性,有效提升了顯示面板的光學顯示效果。
本發明實施例一方面提供了一種顯示面板,包括:第一基板,在所述第一基板一側表面設于多個第一發光元件,所述第一發光元件具有第一出光面;第二基板,和所述第一基板相連接,且在沿垂直于所述第二基板所在平面的方向上,所述第二基板和所述第一基板之間具有高度差,在所述第二基板一側表面設有多個第二發光元件,所述第二發光元件具有第二出光面,所述第一出光面和所述第二出光面平齊設置。
根據本發明的一個方面,所述第一發光元件通過第一焊接部和所述第一基板電連接,所述第二發光元件通過第二焊接部和所述第二基板電連接;在沿垂直于所述第二基板所在平面的方向上,所述第一焊接部和所述第二焊接部之間具有高度差,以使所述第一出光面和所述第二出光面相平齊。通過調整第一焊接部和第二焊接部的厚度以使第一出光面和第二出光面相平齊。
根據本發明的一個方面,在沿垂直于所述第二基板所在平面的方向上,所述第一焊接部和所述第二焊接部之間的高度差為100μm~200μm。通過調整第一焊接部和第二焊接部的厚度以使第一出光面和第二出光面相平齊。
根據本發明的一個方面,相鄰兩個所述第一發光元件之間的距離為第一距離,相鄰兩個所述第二發光元件之間的距離為第二距離,相鄰的所述第一發光元件和所述第二發光元件之間的距離為第三距離,所述第一距離、所述第二距離和所述第三距離均相等。以提高各個第一基板和第二基板的發光效果均一性。
根據本發明的一個方面,還包括第三基板,所述第三基板和所述第二基板連接,在沿垂直于所述第二基板所在平面的方向上,所述第三基板和所述第一基板平齊設置;在所述第三基板一側表面設有多個第三發光元件,所述第三發光元件具有第三出光面,所述第三出光面與所述第一出光面和所述第二出光面平齊設置。通過設置第三基板以增大顯示面板的顯示面積。
根據本發明的一個方面,在沿垂直于所述第二基板所在平面的方向上,所述第一基板、所述第二基板和所述第三基板的厚度為100μm~200μm。以減小顯示面板的厚度。
根據本發明的一個方面,在沿垂直于所述第二基板所在平面的方向上,所述第一基板、所述第三基板分別與所述第二基板部分交疊。降低第一基板、第三基板分別與第二基板的拼接處可見的風險。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





